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《半导体器件实验》教学大纲 课程编号：MI4221016 课程名称：半导体器件实验 英文名称：Experiments of Semiconductor Device 学时： 8 学分： 0.5 课程类别：限选 课程性质：专业课 适用专业：集成电路与系统集成 先修课程：双极型器件物理和场效应器件物理 开课学期：5 开课院系：微电子学院 一、课程的教学目标与任务 目标：培养学生独立完成微电子器件参数测试与应用方面的实践动手能力，巩固和强化 学生半导体器件相关知识，提升学生在微电子技术领域的竞争力，培养学生灵活运用理论知 识解决实际问题的能力，锻炼学生分析、探讨和总结实验结果的能力。 任务：在理论课程的学习基础上，通过大量实验，熟练掌握与微电子器件参数相关的实 验手段和测试技术。课程以教师讲解，学生实际动手操作以及师生讨论的形式实施。 二、本课程与其它课程的联系和分工 本课程是在学习了《双极型器件物理》和《场效应器件物理》等理论课程后实施的一门 面向集成电路与系统集成专业的重要实践课程。 三、课程内容及基本要求 本实验要求学生掌握微电子器件参数测试与应用技术，共设置8 个实验，要求学生选择 完成其中4 个实验。 （一）用图示仪检测晶体管参数（2学时） 具体内容：使用晶体管特性图示仪检测晶体管、场效应管的主要电学参数，画出基本测 试原理图，并对实验结果进行分析。 1.基本要求 （1）掌握三极管、场效应管等器件的主要性能指标和工作原理； （2 ）掌握晶体管特性图示仪的使用方法。 2.重点、难点 重点：使用晶体管特性图示仪对被测样管进行主要电学参数的测试； 难点：测试原理的理解和实验仪器的正确使用。 3.说明：使学生掌握晶体管特性图示仪的使用，加深对原理和特性参数的理解及测试方 法。 （二）MOS场效应晶体管Kp、F 的测试（2学时） 具体内容：使用超高频信号发生器、接收器和直流偏置电源实现对MOSFET 晶体管 样管功率增益Kp、噪声系数F 的测试，观察并绘制Kp、F 分别随工作电流、工作电压的 变化关系，并对实验结果进行分析。 1 1.基本要求 （1）掌握MOS场效应晶体管功率增益Kp、噪声系数F 的测试原理； （2）学习超高频信号发生器、接收器和直流偏置电源的使用方法。 2.重点、难点 重点：MOS场效应晶体管功率增益Kp、噪声系数F 的测试原理； 难点：相应实验仪器的使用。 3.说明：学习MOS场效应晶体管的高频交流参数Kp、F 的测试方法。 （三）双极晶体管功率增益及噪声系数的测试（2学时） 具体内容：测试双极晶体管功率增益、噪声系数，分析噪声来源，观察功率增益、噪声 系数随工作电流，工作电压的变化关系，分析实验结果。 1.基本要求 （1）掌握双极晶体管功率增益Kp、噪声系数F 的测试原理； （2）熟悉超高频信号发生器、接收器和直流偏置电源的使用方法。 2.重点、难点 重点：双极晶体管功率增益Kp、噪声系数F 的测试； 难点：相应实验仪器的使用。 3.说明：学习双极晶体管的高频交流参数Kp、F 的测试方法。 （四）场效应晶体管直流、交流参数测试（2学时） 具体内容：使用场效应晶体管跨导参数仪分别对结型场效应管和MOSFET场效应管进 行直流参数和交流参数等测定，分析实验结果。 1.基本要求 （1）掌握场效应晶体管交直流参数的测试原理和方法； （2）学习场效应晶体管跨导参数仪的使用方法。 2.重点、难点 重点：被测场效应晶体管的直流和交流参数测试； 难点：各参数测试原理和仪器的正确使用。 3.说明：学习场效应晶体管交直流参数的测试方法。 （五）场效应晶体管输入电容Cgs和反馈电容Cgd的测试（2学时）