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- 约 65页
- 2021-10-18 发布于广东
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THE 2ND RESEARCH INSTITUTE OF CHINA ELECTRONICS TECHNOLOGY GROUP CORPORATION;;;LTCC,中文翻译低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramics)
技术起源于美国,80年代中期,最初用于军事,90年代,NEC、IBM、富士通低温共烧陶瓷基板技术成功进入商业应用。2000年以后,LTCC应用转向移动通讯、高频微波领域。;技术特点:
小型化,可以通过增加层数来缩小X,Y方向的尺寸;
稳定性优异的高频特性,陶瓷材料在0 ~100GHz 的范围内介电常数的波动不会超过±0.2;
优良的热膨胀系数,接近硅和砷化镓;
高密度集成,通过内置无源器件,外面在腔体内贴装芯片,提高器件的组装密度。
;基板材料按照其分子结构分为两大类:
陶瓷相(DuPont)
玻璃相(Ferro)
;LTCC基板材料的难点;玻璃和陶瓷材料及树脂介电特性比较;; LTCC技术在国外应用已非常成熟,包括日本的村田(Murata)、京瓷(Kyocera)、TDK和太阳诱电(Taiyo Yuden)、美国西迪斯(CTS Corp)和欧洲的罗伯特?博世有限公司(Bosch)、西麦克微电子技术(C-MAC MicroTechnology)等公司。在全球LTCC市场占有很大的份额。; 国内LTCC技术市场最早由中电14所起步研制。 目前在LTCC军品市场主要在中电集团包括2所、9所、10所、13所、14所、24所、29所、38所、41所、43所、54所、55所等均有自己的产线。 其他军工单位:航天2院23所,航天5院504所,兵器214所,中科院电子所。; 军品主要应用领域包括雷达探测,航电系统,武器导引头,卫星空间站等对领域,这些领域都对产品的高可靠性有很高的要求。;民品领域:
片式元器件:深圳顺络电子,嘉兴佳利电子,
贵阳振华云科电子、广东风华高 科、无锡隆盛、郑州登电银河科技
;LTCC设计规则;根据产品的情况选择合适的材料体系:熟悉材料体系的基本参数,包括介电常数、损耗、瓷片厚度等。
设计生瓷层数:
最少8层,低于8层则基板强度较低。最高层数不得超过40层(还和基板尺寸有关)。
根据已有的制造经验,12 ~25层为最优层数,可制造性及良品率都最优。
;材料体系
全金体系:
用于内层布线、表层布线及互联通孔全部为金导体
特点:工艺窗口较宽,产品合格率高。缺点是产品价格较高
混合体系:
即金银混合体系,表层用金导体,内层 用银导体,互联通孔采用过渡浆料。
特点:工艺过程较复杂,产品价格低。
;基板尺寸,基板的外形尺寸除了根据产品的实际
使用需求来进行设计外,还要考虑产品的拼版问题
尤其是批量产产品。
(8英寸可用面积175mm × 175mm )
基板尺寸:基板面积理论小于5000平方毫米,
长宽比越接近1:1越好。
;通孔
用于电路连接用的通孔及散热孔接地孔,通常采用同一种类型的孔径,直径0.15mm ~0.25mm的通孔为最优化孔径。
同一种产品圆孔的类型不应超过4种。孔间距要大于0.2mm.
;导带
金属导带最小线宽为75μm,工程化建议
线宽/线间距均为100 μm,金属布线面积不应超过生瓷面积的70%,尽量采用网格地。
线条距基板边缘/腔体边缘至少为200 μm。;LTCC腔体结构;腔体 金属导带最小线宽为75μm,工程化建议
线宽/线间距均为100 μm,金属布线面积不应超过生瓷面积的70%,尽量采用网格地。
线条距基板边缘/腔体边缘至少为200 μm。;LTCC电阻材料主要是氧化钌RuO2
共烧电阻:10、100、1K、10K(Ω/□),温度系数:±200
后烧电阻:10、100、1K、10K、100K、1M(Ω/□) ,温度系数:±100
共烧电阻的关键:
电阻面积
电极边缘效应
;;典型工艺流程图;;带框工艺;将生瓷卷料按要求切成一定规格的生瓷片;目前大多数LTCC生产线都是8英寸或者6英寸。
1.切片精度要求:±0.5 mm (用于自动上下料)
2.切片质量要求:切割边缘整齐,无破损、褶皱
;卷状生瓷; 关键工艺,用于形成电路互联通孔和印刷、叠片等工序定位孔。;冲孔质量:未冲透(尤其带膜工艺)、孔有残屑,引起基板开路,造成整个基板失效。;机械冲孔机;通孔金属化,要严格控制填充后的凸起值
1.填充不饱满,甚至漏孔,引起基板的开路;
2.填充过量,形成孔突起,影响金丝键合、芯片粘接、焊接等后道组装工序。
;;通孔突起
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