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高温共烧多层氮化铝基板 设计参考V1.0 中国电子科技集团公司第二研究所 微组装中心 1.生产工艺简介 ALN 陶瓷是一种新型封装材料，具有高的热导率、低的介电常数和介质损耗、良好的 电绝缘特性以及与硅、砷化镓相匹配的热膨胀系数。另外,氮化铝陶瓷不具有毒性，且生产 成本较低，因此，氮化铝陶瓷是目前最为理想的高性能陶瓷基板和封装材料，也是目前公认 的最有发展前途的高热导陶瓷材料，适应于高功率、大尺寸芯片的基板和封装应用。氮化铝 多层基板不仅具有高的导热性，好的尺寸稳定性，优良的绝缘性能以及高频性能，而且可以 通过多层基板布线，提高组装效率，在实现TR 组件小型化的同时，满足系统的散热需求， 提高系统的稳定性和可靠性，是实现下一代微波多芯片组件高导热、高可靠、高密度集成的 理想技术。多层氮化铝基板材料与常用LTCC 多层基板材料性能对比如表1 所示。 表1 层氮化铝基板材料与常用LTCC 多层基板材料性能对比 介电常数 介质损耗 热导率 CTE 抗弯强度 导线方阻 A6 LTCC 5.9 0.002 2W/m ·K 7 160Mpa 2m Ω 951 LTCC 7.8 0.006 3W/m ·K 5.8 230Mpa 2m Ω ALN 8 0.003 170W/m ·K 3.5 400Mpa 18m Ω 本规范根据氮化铝生瓷片材料厂商提供的设计规范并结合二所微组装中心实际工艺编 写，为设计师设计氮化铝多层电路基板提供参考，氮化铝工艺生产线情况简介如下。 生瓷片规格： 153mm*153mm 最小印刷线宽/ 间距： 100μm /100μm 导体印刷厚度： 8~25μm 最小通孔直径： 100μm 翘曲度： 小于3μm/mm 层间对位精度： 优于20μm 单块电路最大尺寸： 100mm ×100mm 层数 不多于32 层 2.材料体系 微组装中心目前主要使用国产化氮化铝生瓷材料和配套的导体浆料 ，进行多层氮化铝 基板的加工制造，设计师可根据材料特性和产品需求，进行空腔、互联通孔结构、微带传输 线等电路结构设计，用以实现高密度互联基板和一体化电路封装结构。 主要材料系统清单见表1、表2 。 表1 氮化铝介质材料特性数据 项目 - 介电常数 8.5@10GHz 0.003@1GHz 损耗角正切 0.004@10GHz 击穿电压 ＞15kV/mm 绝缘电阻 ＞1010 Ω（100VDC） 抗折强度 400Mpa 4.4ppm/ ℃ 热膨胀系数 RT~400 ℃ 热导率 3.3W/m.K 0.1mm