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《数字集成电路基础》作业答案
第一次作业
1、查询典型的TTL 与CMOS 系列标准电路各自的VIH 、VIL 、VOH 和VOL，
注明资料出处。
2 、简述摩尔定律的内涵，如何引领国际半导体工艺的发展。
第二次作业
1、说明CMOS 电路的Latch Up 效应；请画出示意图并简要说明其产生原因；
并简述消除“Latch-up ”效应的方法。
答：在单阱工艺的MOS器件中 （P 阱为例），由于NMOS管源与衬底组成PN结，而PMOS
管
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