少数载流子寿命测试.pdfVIP

第三章：少数载流子寿命测试 少数载流子寿命是半导体材料的一个重要参数， 它在半导体发展之初就已经 存在了。早在 20 世纪 50 年代， Shockley 和 Hall 等人就已经报道过有关少数载 流子的复合理论 [1-4] ，之后虽然陆续有人研究半导体中少数载流子的寿命，但由 于当时测试设备简陋，样品制备困难，尤其对于测试结果无法进行系统地分析。 因此对于少数载流子寿命的研究并没有引起广泛关注。 直到商业需求的增加， 少 数载流子寿命的测试才重新引起人们的注意。晶体生产厂家和 IC 集成电路公司 纷纷采用载流子寿命测试来监控生产过程， 如半导体硅单晶生产者用载流子寿命 来表征直拉硅单晶的质量，并用于研究可能造成质量下降的缺陷。 IC 集成电路 公司也用载流子寿命来表征工艺过程的洁净度， 并用于研究造成器件性能下降的 原因。此时就要求相应的测试设备是无破坏，无接触，无污染的，而且样品的制 备不能十分