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模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管 一. 半导体的基础知识 1. 半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质（如硅Si、锗Ge）。 2. 特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3. 本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5. 杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。 体现的是半导体 的掺杂特性。 *P型半导体：在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是 电子）。 *N型半导体： 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是 空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导 体。 7. PN 结 * PN 结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN 结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 正向特性 lA 0 f t 反向特性 二. 半导体二极管 *单向导电性——正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降—— 硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------ 硅管0