半导体封装划片工艺及优化收集.pdfVIP

在一个晶圆上，通常有几百个至数千个芯片连在一起。它们之间留有 80um 至 150um 的间 隙，此间隙被称之为划片街区（ Saw Street）。将每一个具有独立电气性能的芯片分离出来 的过程叫做划片或切割（ Dicing Saw ）。目前，机械式金刚石切割是划片工艺的主流技术。 在这种切割方式下，金刚石刀片（ Diamond Blade ）以每分钟 3 万转到 4 万转的高转速切割 晶圆的街区部分， 同时，承载着晶圆的工作台以一定的速度沿刀片与晶圆接触点的切线方向 呈直线运动，切割晶圆产生的硅屑被去离子水（ DI water ）冲走。依能够切割晶圆的尺寸 ， 目前半导体界主流的划片机分８英寸和 12 英寸划片机两种。 晶圆划片工艺的重要质量缺陷的描述 崩角 (Chipping) 因为硅材料的脆性， 机械切割方式会对晶圆的正面和背面产生机械应力， 结果在芯片的 边缘产生正面崩角（ FSC- Front Side Chippin