模拟电子技术题库答案.pdfVIP

模拟电子技术 试题汇编 成都理工大学工程技术学院 电子技术基础教研室 2010-9 模拟电子技术试题汇编 第一章 半导体器件 一、填空题 1、本征硅中若掺入 5 价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，少数载 流子应是 空穴 。 2、 在 N 型半导体中，电子浓度 大于 空穴浓度，而在 P 型半导体中，电 子浓度 小于 空穴浓度。 3、PN结反向偏置时，空间电荷区将变 宽 。 4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是 _____ 饱和_____区、______放大__ _ 区、__ 截止____ ____区。 5、场效应管分为两大类：一类称为_