少子寿命测试仪说明书..pdf

LT-100C 数字式硅晶体少子寿命 测试仪使用说明书 广州市昆德科技有限公司 目录 1. 概述 1 2. 设备的组成及技术指标 2 3. 仪器的使用 3 4. 寿命值的测试读数方法 6 5. 数字示波器的使用 9 6. 寿命测量准确度的校核方法 12 7. 仪器结构及维修 13 8. 整机体积、重量、电源 14 1. 概述 1.1. LT-100C 高频光电导少数载流子寿命测试仪是参照半导体设备和材料国际组 织 SEMI 标准（ MF28-0707、MF1535-0707）及国家标准 GB/T1553-1997 设计制造。本 设备采用高频光电导衰减测量方法，适用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，由于 对样块体形无严格要求，因此广泛应用于工厂的常规测量。寿命测量可灵敏地反映单 晶体重金属污染及缺陷存在的情况，是单晶质量的重要检测项目。 目前我国测量硅单晶少子寿命的常用方法为高频光电导衰退法（ hfPCD ）及微波 反射光电导衰退法（ μPCD），两种方法均无需在样品上制备电极，因此国外都称为无 接触法。 dcPCD （直流光电导衰退法）是测量块状和棒状单晶寿命的经典方法； μPCD 法 是后来发展的测量抛光硅片寿命的方法。这两种方法对单晶表面的要求截然相反， dcPCD 法要求表面为研磨面（用粒径为 5— 12 μm氧化铝粉研磨，表面复合速度接近 7 无限大， ≈10 ㎝/s ），这是很容易做到的； μPCD 法则要求表面为完美的抛光钝化面， 3 要准确测量寿命为 10 μ ｓ的 P 型硅片表面复合速度至少要小于 10 ㎝/ 秒，并需钝化稳 定，这是很难做到的。 hfPCD光电导衰退法介于两者之间，它和 dcPCD法一样可以测量表面为研磨状态 的块状单晶体寿命，也可以测量表面为研磨或抛光的硅片寿命。特别要强调的是：无 论用何种方法测量“表面复合速度很大而寿命又较高的”硅片（切割片、研磨片） ，由 于表面复合的客观存在，表观寿命测量值肯定比体寿命值偏低，这是无容置疑的，但 是生产实际中往往直接测量切割片或未经完善抛光钝化的硅片，测量值偏低于体寿命 的现象极为普遍，因此我们认为此时测出的寿命值只是一个相对参考值，它不是一个 真实体寿命值，而是一个在特定条件下（体寿命接近或小于表面复合寿命时）可以反 映这片寿命高，还是那片寿命更高的相对值。供需双方必须有一些约定，如约定清洗 条件、切割条件和测量条件，只有供需双方经过摸索并达成共识，才能使这样的寿命 测量值有生产验收的作用， 否则测量值会是一个丝毫不能反映体寿命的表面复合寿命。 因此实际生产中我们主张尽量用高频光电导衰退法测量硅块、棒或锭的寿命，这 样寿命测量既准确又可以减少测试工作量。 1.2. LT-100C 型寿命仪是 LT-1 （基本型）的升级换代产品，在低阻硅单晶测量时， 采用了全新理念，使信噪比提高了数十倍至数百倍，将硅单晶寿命测量下限从 ρ＞3 Ω ·cm，延伸到 ρ≥0.3Ω?㎝，除能测量高阻单晶外亦可满足太阳电池级硅片（裸片） 第 1 页 共 19 页 的测试要求，仪器既可测量硅块亦可