半导体制造技术深紫外duv光刻胶.pptVIP

词语：表面 拼音：biǎomiàn 解释：事物的外在现象，一般指非本质的部分。巴金《怀念萧珊》：“表面上的平静是虚假的。”王西彦《古屋》第一部四：“我说，战争和快乐主义不能相容，这还是表面的世俗的看法。”物体跟外界接触的部分。如：这钢筋表面生锈。 词语：方法 拼音：fāngfǎ 解释：测定方形之法。《墨子·天志中》：“中吾矩者谓之方，不中吾矩者谓之不方，是以方与不方，皆可得而知之。此其故何？则方法明也。”办法；门径。《百喻经·口诵乘船法而不解用喻》：“此长者子善诵入海捉船方法：若入海水漩洑洄流磯激之处，当如是捉，如是正，如是住。”唐韩愈《送韩侍御归所治序》：“﹝韩重华﹞使耕其傍便近地……又为之奔走经营，相原隰之宜，指授方法，故连二岁大熟。”《朱子语类》卷一一七：“伯丰有才气，为学精苦，守官治事，皆有方法。”冰心《南归》：“﹝我﹞除了将一切交给上天之外，没有别的办法了。”方术，法术。唐张籍《书怀》诗：“别从仙客求方法，时到僧家问苦空。”亦指技术；技巧。《英烈传》第七回：“﹝剑﹞有八尺餘长，长兄舞得如花轮儿一般，空中只见寳剑不见人，这方法从那里学来？”清张云锦《桂枝香》词：“作羹方法留佳话，但空传当壚宋嫂。”法则。《＜艾青诗选＞自序》：“形象思维的方法，是诗、也是一切文学创作的基本方法。”巴金《探索集·探索之三》：“我的探索和一般文学家的探索不同，我从来没有思考过创作方法、表现手法和技巧等等的问题。” 词语：液体 拼音：yètǐ 解释：有一定体积无一定形状可以流动的物质。性质介于气体和固体之间。在常温下，水、酒、水银等都是液体。 词语：得到 拼音：dé dào 解释：能到，可到。金元好问《客意》诗：“山间儿女应相望，十月初旬得到无？”获得。艾青《诗选·自序三》：“六月，‘春地画会’在上海基督教青年会楼上举行展览会，得到了鲁迅的支持。” 随着电路密度和关键尺寸的不断缩小，为了将亚微米线宽的图形转移到硅片表面，光刻胶必须具备如下特性： 更好的图形清晰度 (分辨率) 对硅片表面更好的黏附性 更好的均匀(jūnyún)性 工艺宽容度高 (对工艺可变量敏感度降低) 第三十一页，共47页。 光刻胶的类型(lèixíng) 普通光刻胶可分为正性光刻胶和负性光刻胶。这种分类是基于光刻胶材料对紫外光的响应特性。 对于负性光刻胶，经紫外光曝光后发生交联反应(fǎnyìng)并会硬化，使原来可以被显影液溶解的成分变得不可溶解。显影后与掩膜版相反的图形留在光刻胶上。 对于正性光刻胶，经紫外光曝光后的区域经历了一种光化学反应(fǎnyìng)，使原来难以被显影液溶解的特性变得可溶解。显影后与掩膜版相同的图形留在光刻胶上。 也可以依据光刻胶所形成的最小关键尺寸来给光刻胶分类。一类是能形成线宽尺寸在0.35μm及其以上的传统光刻胶。另一类是适用于深紫外(DUV)波长的化学放大光刻胶。 第三十二页，共47页。 正负(zhènɡ fù)光刻胶的对比 负性光刻胶因具有与硅片良好的黏附性能和对刻蚀良好的阻挡作用，在20世纪70年代被广泛使用。然而，由于显影时的变形和膨胀(péng zhàng)，通常只能有2μm的分辨率。随着集成度的提高和关键尺寸的不断减小，负性光刻胶被正性光刻胶所取代。但正性光刻胶的黏附性能较负性光刻胶差。 要在硅片上得到相同图案，使用不同极性的光刻胶所对应的掩膜版（亮、暗场转换）是不同的。这种变化不仅仅是改变掩膜版的明暗场，因为两种不同的光刻胶其复印掩膜尺寸是不同的。主要原因是图形周围光的散射（衍射）。所以掩膜版不仅是明暗场的简单转化，必须考虑该因素而进行重新设计。 第三十三页，共47页。 光刻胶的物理(wùlǐ)特性 在芯片制造工艺中，可能会用到许多类型的光刻胶。每一种都应该具备其与光刻工艺要求直接相关的自身物理特性。一种专用(zhuānyòng)的光刻胶应该具备以下物理特性 分辨率 对比度 敏感度 粘滞性 粘附性 抗蚀性 表面张力 沾污和颗粒 第三十四页，共47页。 分辨率：硅片上形成符合质量规范要求的最小特征图形的能力，形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率能力就越高。 对比度：是指光刻胶上从曝光(bào guāng)区到非曝光(bào guāng)区过渡的陡度（见图13.16）。 差的光刻胶对比度 斜坡墙 膨胀 Resist Film 好的光刻胶对比度 陡直墙 无膨胀 Resist Film Figure 13.16 第三十五页，共47页。 敏感度 是指硅片表面光刻胶中产生一个良好图形所需要(xūyào)的一定波长光的最小能量值（以mJ/cm2为单位）。提供给光刻胶的光能量值通常称为曝光量。 粘滞性 粘