第七章薄膜生长的成核长大动力学课件.pptVIP

(a) Transformed fraction of CoSi2 as a function of time as measured by change in resistivity, (b) Arrhenius plot of log t1/2 vs 1/TK. CoSi2 : EN = 0.3 eV and EG = 0.92 eV. Often, EN is taken to be zero so that Et = 3EG. 存在台阶时的成核生长 Péclet Number L2R/D 1 L2R/D ~ 1 L2R/D 1 L2R/D 1 生长模式 扩散型台阶流动 对流型台阶流动 二维成核与生长 统计上的粗化生长 消沉积率 高扩散 高沉积率 低扩散 佩克莱特数 其它因素: 台阶边缘的Schwoebel 势垒 Ag(111) 上Au核分布 的STM 图. 平台上的Au核说明台阶边缘的Schwoebel 势垒在低温下阻碍原子的在台阶间的扩散。 33 oC 81 oC 105 oC 不同tD/tJ值时团簇密度nj的直方图,n0为衬底外表的原子数。 其它因素: 外表扩散的各向异性 各向异性岛〔垂直于衬底外表二聚体链的方向〕。 增原子各向异性扩散所形成的晶核形状 (二聚体链方向扩散快)。 高温下B型台阶上扩散更快，导致B型台阶上无法成核 (denuded zones)，会