第四章 真空蒸发镀膜法.pptx

第一节 真空蒸发镀膜原理(yuánlǐ) ;二. 真空蒸发镀膜原理(yuánlǐ);;三．真空蒸发的物理过程： 1.采用各种形式的热能转换方式，使镀膜材料粒子蒸发或升华，成为具有一定能量的气态粒子(原子，分子，原子团，0.1 ? 0.3 eV)； 2.气态粒子通过基本上无碰撞(pènɡ zhuànɡ)的直线运动方式传输到基体； 3.粒子沉积在基体表面上并凝聚成薄膜； 4.组成薄膜的原子重新排列或化学键合发生变化。;四. 三个基本(jīběn)过程：;特点： 设备比较简单、操作容易； 制成的薄膜纯度高、质量好，厚度可较准确控制； 成膜速率快，效率高，用掩模可以获得清晰图形； 薄膜的生长机理(jī lǐ)比较简单； 这种方法的主要缺点是：不容易获得结晶结构的薄膜；所形成的薄膜在基板上的附着力较小；工艺重复性不够好等。;一. 饱和蒸汽压P与温度的关系(guān xì) Clapeyron-Clausius方程：;理想气体(lǐ xiǎnɡ qì tǐ)的物态方程：;;说明(shuōmíng):;二. 蒸发(zhēngfā)速率;蒸发速率(sùlǜ)公式;一．蒸发物质(wùzhì)的平均自由程与碰撞几率;粒子在两次碰撞之间所飞行的平均(píngjūn)距离称为蒸发分子的平均(píngjūn)自由程。 式中，P是残余气体压强，d是分子直径，n为残余气体分子密度。例如，在一个大气压下，蒸发分子的平均(píngjūn)自由程约为50cm，这与普通真空镀膜室的尺寸不相上下。因此，可以说在高真空条件下大部分的蒸发分子几乎不发生碰撞而直接到达基板表面。;;关系(guān xì)曲线 ;薄膜的纯度(chúndù) Ci;;第四节 蒸发源的发射特性------厚度(hòudù)分布;则时间(shíjiān)t1内，蒸发总质量：;薄膜厚度(hòudù)：;二．面蒸发(zhēngfā)源;当 θ=φ时;三. 点源和面源的比较(bǐjiào)：;下图表示与蒸发源平行放置(fàngzhì)于正上方的平面基片;四. 提高(tí gāo)膜厚均匀性的措施：;2)改变基片放置方式以提高厚度(hòudù)均匀 ： a) 球面放置基片； 点源 面源 b) 基片平面旋转； c) 行星旋转基片架；;旋转方式(fāngshì): (a) 基片在圆顶上，绕轴旋转; (b) 基片在鼓面上，源位于中轴线，鼓面绕中轴线旋转； (c)行星式旋转 . ;;第五节 蒸发(zhēngfā)源的类型; 目前，真空蒸发使用的蒸发源根据其加热原理可以(kěyǐ)分为：电阻加热、电子加热、高频感应加热、电弧加热和激光加热等五大类。电阻加热采用钨、钼、钽等高熔点金属做成适当形状的蒸发源，或采用石英坩埚等。根据蒸发材料的性质以及蒸发源材料的浸润性等制作成不同的蒸发源形状。 ;1．电阻(diànzǔ)蒸发源; 关于蒸发源的形状(xíngzhuàn)可根据蒸发材料的性质，结合考虑与蒸发源材料 的湿润性，制作成不同的形式和选用不同的蒸发源物质。 ;;蒸发(zhēngfā)坩锅种类;电阻(diànzǔ)蒸发源材料：;电阻加热法的特点(tèdiǎn)：;电子束热蒸发：已成为蒸发高熔点待蒸发材料和制备高纯薄膜的一种(yī zhǒnɡ)主要方法。 电子束热蒸发的原理:将蒸发材料置于水冷坩埚中，利用电子束在电场作用下获得动能轰击阳极的蒸发材料，使待蒸发材料气化并在衬底上凝结形成薄膜。; 电子束蒸发沉积可以(kěyǐ)做到避免坩埚材料的污染。在同一蒸发沉积装置中可以(kěyǐ)安置多个坩埚，这使得人们可以(kěyǐ)同时或分别对多种不同的材料进行蒸发。 电子枪由电子束聚焦方式的不同分类： (1)直式电子枪 (2)环枪（电偏转） (3)e形枪（磁偏转）;;;电子束蒸发特点： 优点： (1)电子束轰击热源的束流密度高，能获得远比电阻加热源更大的能流密度。蒸发高熔点材料 (2)由于被蒸发材料是置于水冷坩埚内，因而可避免容器材料的蒸发，以及容器材料与蒸镀材料之间的反应，这对提高镀膜的纯度极为重要。 (3)热量可直接加到蒸镀材料的表面，因而热效率高，热传导和热辐射的损失少。 缺点：装置复杂 残余(cányú)气体和部分待蒸发材料的蒸气电离，产生的电子和正离子轰击基片，对薄膜成分、结构和性能产生影响 ;3. 高频感应蒸发源 将装有蒸发材料的坩埚放在高频螺旋线圈的中央，使蒸发材料在高频电磁场的感应下产生强大的涡流损失和磁滞损失（对铁磁体），致使(zhìshǐ)蒸发材料升温，直至气化蒸发。 ;特点： 优点 (1)蒸发速率大，可比电阻蒸发源大10倍