ASIC低功耗设计说明.docxVIP

三、低功耗技术 1.功耗分析 （1）由于电容的充放电引起的动态功耗 图（20〉充放电转换图 如图（20）所示：PMOS管向电容Cz充电时，电容的电压从0上升到匕灯，而这些能量来 自于电源。一部分能量消耗在PMOS管上，而剩余的则保存在电容里。从高电压向低转换的 过程中，电容放电，电容中储存的能量消耗在NHOS管上。 我们来推导一下：考虑从低电压转换到高电压的情况，NM0S和PM0S不同时导通。在转 换过程中电源提供的能量为民，而是转换后储存在电容里的能呈。 VDD7 = ClVdd J dvout0 VDD 7 = ClVdd J dvout 0 =ClVdd2Evdd = jivDD（t）dt = Vdd^Cl（ X—di o o =ClVdd2 x x dy yoD ClVdd 2 Ec = j ivDD（t）Voutdt = [ Cl ―—Voutdt = Cl | vnadvoia =—;——- o o 力 o 2 这两个等式说明电源提供的能量只有一半储存在电容里。另一半被PMOS管消耗掉了。 为了计算总体能呈消耗，我们不得不考虑器件的鬣转。如果门每秒钟翻转/）—!次，那么 Pdvn = ClVi）D： f 0 —— 1 /（）—1表示能疑消耗的翻转频率。 随着数字电路集成度的提高，能量问题将成为人们关注的焦点。从以上分析看出，Pdyn 跟电源电压的平方成正比，因此降低供电