第二章电力电子技术.pptx

电子技术的基础 ——— 电子器件：晶体管和集成电路;2.1 电力电子器件概述 ;1）概念: 电力电子器件（Power Electronic Device） ——可直接用于主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。 主电路（Main Power Circuit） ——电气设备或电力系统中，直接承担电能的变换或控制任务的电路。 2）分类: 电真空器件 (汞弧整流器、闸流管) 半导体器件 (采用的主要材料硅）仍然;2.1.1 电力电子器件的概念和特征;2.1.1 电力电子器件的概念和特征;通态损耗是器件功率???耗的主要成因。 器件开关频率较高时，开关损耗可能成为器件功率损耗的主要因素。;2.1.2 应用电力电子器件的系统组成;2.1.3 电力电子器件的分类;2.1.3 电力电子器件的分类;2.1.3 电力电子器件的分类;常用电力半导体开关器件性能对比;2.1.4 本章内容和学习要点;2.2 不可控器件——电力二极管;2.2 不可控器件——电力二极管·引言;A;2.2.1 PN结与电力二极管的工作原理;2.2.1 PN结与电力二极管的工作原理; 状态参数;1.2.1 PN结与电力二极管的工作原理（重点）;1.2.1 电导调制效应（重点）;二极管的基本原理就在于PN结的单向导电性这一主要特征。当施加的反向电压过大时，反向电流将会急剧增加，破坏PN结反向偏置为截止的工作状态，形成反向击穿。 PN结的反向击穿（两种形式) 雪崩击穿 齐纳击穿 均可能导致热击穿;电荷量随外加电压变化，呈电容效应，称为结电容CJ。 按产生和作用差别分为势垒电容CB和扩散电容CD。 势垒电容只在外加电压变化时才起作用，电压频率越高，作用越明显。其大小与结截面积成正比，与阻挡层厚度成反比。 而扩散电容仅在正偏时起作用。 正压较高时，扩散电容为结电容主要成分，正压较低时，势垒电容为结电容主要成分。 电容影响PN结的工作频率，尤其是高速的开关状态，可能使其单相导电性变差，甚至不能工作。;2.2.2 电力二极管的基本特性;讨论： ; 主要指其伏安特性 门槛电压VTO，正向电流IF开始明显增加所对应的电压。 与IF对应的电力二极管两端的电压即为其正向电压降UF 。 承受反向电压时，只有微小而数值恒定的反向漏电流。;2.2.2 电力二极管的基本特性;2.2.2 电力二极管的基本特性; 动态特性 1）、t0-tf：电流下降速率与外电路特性有关（反向电压大小与电路电感），由于电导调制效应管压降变化不大，直到t0时刻； 2）、 t1-t0：由于PN结两侧存储大量少子而没有反向阻断，而且少子在外加电场的作用下被抽取，出现较大的反向电流，管压降继续为正； 3）、t2-t1：少子被抽尽，管压降变为负，开始抽取离空间电荷区较远的浓度较低少子，空间电荷区变宽，恢复阻断能力。反向电流开始下降，在外电路电感的作用下，形成反向过冲电压。在电流变化率接近于0的t2时刻，管子两端承受的反压降为外加电压大小。 ;由零偏置到正向偏置形成过冲电压的原因 1）、电导调制效应所需的大量少子需要一定时间存储，在达到稳态导通之前管压降较大； 2）、正向电流的上升会因器件自身电感以及外电路电感而产生较大的压降。电流上升率越高，过冲电压会越高。 当电力二极管由反向偏置到正向偏置时，除上述时间外，势垒电容电荷的调整也需要时间来完成。 ; 额定电流——在指定的管壳温度和散热条件下，其允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。 IF(AV)是按照电流的发热效应来定义的，使用时应按有效值相等的原则来选取电流定额，并应留有一定的裕量。 如果工作在开关频率较高的场合，需要考虑开关损耗。; 在指定温度下，流过某一指定的稳态正向电流时对应的正向压降。 3） 反向重复峰值电压URRM 对电力二极管所能重复施加的反向最高峰值电压。 使用时，应当留有两倍的裕量。 4）反向恢复时间trr trr= td+ tf; 结温是指管芯PN结的平均温度，用TJ表示。 TJM是指在PN结不致损坏的前提下所能承受的最高平均温度。 TJM通常在125~175?C范围之内。 6) 浪涌电流IFSM 指电力二极管所能承受最大的连续一个或几个工频周期的过电流。 ;开关环境的影响;1) 普通二极管（General Purpose Diode） 又称整流二极管（Rectifier Diode） 多用于开关频率不高（1kHz以下）的整流电路 其反向恢复时间较长，典型值约为25ms 正向电流定额和反向电压定额可以达到很高;简称快速二极管， trr一般小于5ms 快恢复外延二极管 （Fast Recovery