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金融危机冲击下日本内存业开发依然活跃
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??? 可称为半导体业界奥运会的“ISSCC 2009”大会新闻发布会,日前在东京举行。会上宣布,ISSCC 2009大会将于2月8日~12日在美国旧金山举行。ISSCC筹委会希望参会者达到上年水平的约3500人。??? 金融危机冲击着电子产业,半导体技术开发人员却在全力拼搏。这一点将体现在ISSCC 2009大会的内存发展史中。例如,亮相于ISSCC大会的NAND闪存(multi-level cell:MLC)的高度集成化趋势,在1999年~2008年间以年均约55%的速度提高。其增势超过了摩尔定律。其实,展望将在2009年ISSCC大会亮相的NAND闪存的容量,就可以看出,NAND闪存将以超过此前55%年均增长率的速度实现大容量化。??? 在目前经济萧条的情况下,NAND闪存何以能比以前更快地实现大容量化?一言以蔽之,原因在于“打总体战”。NAND闪存的价格以前所未有的速度持续下跌,内存厂商对此一筹莫展。为了使成本低于市场价格,内存厂商投入了其全部技术。具体而言,即3Xnm工艺的微细化和3bit/单元以上的超多值化。例如,东芝及美国SanDisk将联合发布在35nm以下工艺微细加工技术中组合应用3bit/单元多值化技术开发出的32Gbit产
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