第一章热氧化工艺..pptxVIP

第一章 热氧化工艺(gōngyì) (Thermal Oxidation);《微电子制造科学原理与工程技术》第4章 热氧化 (电子讲稿(jiǎnggǎo)中出现的图号是该书中的图号);分子(fēnzǐ)数密度：2.2 ?1022 ／cm3;■ 介电强度高： 10 MV/cm ? 最小击穿电场(非本征击穿)：由缺陷、杂质(zázhì)引起 ? 最大击穿电场(本征击穿)：由SiO2厚度、导热性、 界面态电荷等决定； 氧化层越薄、氧化温度越低，击穿电场越低;■ B、P、As 等常见杂质在SiO2中的扩散(kuòsàn)系数远小于其 在Si中的扩散(kuòsàn)系数。DSi DSiO2 ■ SiO2做掩蔽膜要有足够的厚度：对特定的杂质、扩散(kuòsàn) 时间、扩散(kuòsàn)温度等条件，有一最小掩蔽厚度。;■ 在一定温度(wēndù)下，能和强碱(如NaOH，KOH等)反 应，也有可能被铝、氢等还原。; （三）二氧化硅(èr yǎng huà guī)在IC中的主要用途 ;SiO2在一个PMOSFET结构(jiégòu)中的应用 (剖面示意图);（四）IC中常见的SiO2生长(shēngzhǎng)方法：;问题：生长厚度 为Tox的二氧化硅，