模拟电路基础MOS场效应管.pptVIP

场效应管，简称FET(Field Effect Transistor )。;1-5 场效应管(Field Effect Transistors, FET);1-5-2 绝缘栅场效应管(Insulated Gate FET);结型场效应管 （JFET）;;;两端的MOS电容器结构;（a）平板电容器;（a）正栅压偏置的MOS电容器（P型衬底）;（a）正栅压偏置的MOS电容器（N型衬底）;增强型NMOS的工作原理;;;d;;;4;N沟道EMOS直流分析;Vth是增强型MOSFET开始形成反型层所需的vGS值，称为开启电压。对E型NMOS管，V th为正值，对E型PMOS管，VGS(th)为负值。;;结构示意图;D型NMOSFET工作原理;D型MOSFET的伏安方程：恒流区;耗尽型p-沟道MOSFET;CMOS（Complementary MOSFET）;沟道长度调制效应;击穿效应;N沟道EMOS做非线性电阻;MOS管做放大器;使用 MOSFET的注意事项