位错的应力场与应变场.pptxVIP

回顾(huígù)上堂课内容 根据几何形态特征，可把晶体缺陷分为三类(sān lèi)： (1)点缺陷、(2)线缺陷、(3)面缺陷 (1)点缺陷：特征是在三维空间的各个方向上的尺寸都很小，亦称为零维缺陷。如空位、间隙原子等。 (2)线缺陷：特征是在两个方向上的尺寸很小，在一个方向上的尺寸较大，亦称为一维缺陷。如晶体中的各类位错。 (3)面缺陷：特征是在一个方向上的尺寸很小，在另外两个方向上的尺寸较大，亦称二维缺陷。如晶界、相界、层错、晶体表面等。 第一页，共42页。第二页，共42页。第三页，共42页。NONOQQMPPM柏氏矢量(shǐliàng)刃型位错柏氏矢量的确定(quèdìng)(a) 有位错的晶体 (b) 完整晶体 第四页，共42页。1.4 位错的应力场和应变场1. 位错的应力场 晶体中存在位错时，位错线附近的原子偏离了正常位置，引起点阵畸变，从而产生应力场。 在位错的中心部，原子排列特别(tèbié)紊乱，超出弹性变形范围，虎克定律已不适用。中心区外，位错形成的弹性应力场可用各向同性连续介质的弹性理论来处理。 分析位错应力场时，常设想把半径约为0.5～1nm的中心区挖去，而在中心区以外的区域采用弹性连续介质模型导出应力场公式。 第五页，共42页。为研究位错应力场问题，一般把晶体分作两个区域：1）位错中心附近因畸变严重，须直接考虑晶体结构和原子之间的相互作用。2）远离