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半导体物理学课后习 题第五章第六章答案 精品资料 第五章习题 13 -3, 1. 在一个n 型半导体样品中，过剩空穴浓度为10 cm 空穴的寿命为100us。 计算空穴的复合率。 13 3   已知：p 10 /cm , 100 s 求：U？