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LDMOS导通电阻的测量方法与流程 ldmos导通电阻的测量方法技术领域1.本技术涉及电子器件检测技术领域，尤其涉及一种ldmos导通电阻的测量方法。背景技术：2.相关技术中，ldmos(横向集中金属氧化物半导体)器件通常具有耐高压、简洁进行把握等优点而被广泛接受。而在ldmos器件的各类参数中，导通电阻是对ldmos器件进行把握的重要参数，因此，导通电阻的精确     测量尤为重要。目前，ldmos器件的导通电阻测量方法，通常是在ldmos器件上加载电流，再接受测试设备测量ldmos器件d极和s极两端之间的电压，再计算出导通电阻，但是此种方法，在测量时，仅是测量ldmos器件d极和s极的一个电流回路中的电压，测量方式粗糙，计算得出的导通电阻与ldmos器件实际工作时，d极和s极的多个电流回路中所产生的导通电阻有较大差异，并不能精确     测量出整个ldmos器件d极和s极之间的导通电阻。技术实现要素：3.本技术旨在起码解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术提出一种ldmos导通电阻的测量方法，能够实现导通电阻的精确测量。4.依据本技术的实施例的ldmos导通电阻的测量方法，包括：5.猎取待测的ldmos器件；其中，所述ldmos器件设置有漏极框架和源极框架；6.依据所述漏极框架和所述源极框架，构建第一电流回路和其次电流回路；7.在所