半导体中的非平衡过剩载流子.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 非均匀半导体，平衡载流子浓度随x而变化，扩散电流应由载流子的总浓度梯度dn/dx，dp/dx所决定。上式又可写为 ? 这就是半导体中同时存在扩散运动和漂移运动时的电流密度方程式。 第一百二十七页，共138页 扩散和漂移同存时，少子所遵守的运动方程。 在一块n型半导体的表面光注入非平衡载流子，同时有一x方向的电场|E|，则少子空穴将同时作扩散和漂移运动。 6.7 连续性方程 第一百二十八页，共138页 一般空穴浓度是位置x和时间t的函数。半导体中同存扩散和漂移电流。 由于扩散，单位时间单位体积中积累的空穴数是? 由于漂移运动，单位时间单位体积中积累的空穴数是? 第一百二十九页，共138页 小注入下，则单位体积内空穴随时间的变化率应当是: ? 其中，gp表示其它因素引起单位时间单位体积中空穴的变化。 这就是漂移和扩散运动同时存在时少子所遵守的运动方程，称为连续性方程式。 其他 复合 漂移 扩散 第一百三十页，共138页 同理可得：电子的一维连续方程为： 第一百三十一页，共138页 连续方程特例情况的几个例子 第一百三十二页，共138页 第一百三十三页，共138页 第一百三十四页，