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第一章 半导体二极管 1.本征半导体 单质半导体材料是具有 4 价共价键晶体结构的硅 Si 和锗 Ge。 导电能力介于导体和绝缘体之间。 特性：光敏、热敏和掺杂特性。 本征半导体： 纯净的、 具有完整晶体结构的半导体。 在一定的温度下， 本征半导体内的最重要的物 理现象是本征激发 （又称热激发），产生两种带电性质相反的载流子 （空穴和自由电子对） ，温度越 高，本征激发越强。 空穴是半导体中的一种等效 +q 的载流子。 空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位， 使局部显示 +q 电荷的空位宏观定向运动。 在一定的温度下，自由电子和空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为 复合。当热激发和复合相等时，称为载流子处于动态平衡状态。 2 ．杂质半导体 在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 P 型半导体：在本征半导体中掺入微量的 3 价元素（多子是空穴，少子是电子） 。