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化学气相沉积技术 第一页，编辑于星期一：十九点 四十分。 目录 化学气相沉积技术的基本概念 Ⅰ.化学气相沉积技术的定义 Ⅱ.化学气相沉积技术的分类 Ⅲ.化学气相沉积技术的发展历程 Ⅳ.化学气相沉积技术的基本原理 化学气相沉积技术的基本理论 Ⅰ.CVD技术 Ⅱ.CVD制备材料的生长机制 Ⅲ.化学气相沉积的反应过程 CVD技术在实验室的应用 第二页，编辑于星期一：十九点 四十分。 化学气相沉积技术的基本概念 第三页，编辑于星期一：十九点 四十分。 化学气相沉积技术（CVD）是一种材料表面改性技术。是把含有构成薄膜元素的一种或几种化合物、单质气体供给基体，借助气相作用或在基体表面上的化学反应在基体上制得金属或化合物薄膜的方法。它可以利用气相间的反应,在不改变基体材料成分和不消弱基体材料强度的条件下,赋予材料表面一些特殊的性能。 从气相中析出的固体的形态主要有下列几种： ⑴.在固体表面上生成薄膜、晶须和晶粒 ⑵.在气体中生成粒子 化学气相沉积技术的定义： 第四页，编辑于星期一：十九点 四十分。 CVD技术 低压CVD（LPCVD） 常压CVD（APCVD）） 亚常压CVD(SACVD) 超高真空CVD(UHCVD) 等离子体增强CVD(PECVD) 高密度等离子体CVD(HDPCVD 快热