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第四章习题解答 4-1如题4-1图所示MOSFE转移特性曲线，说明各属于何种沟道？若是增强型， 开启电压等于多少？若是耗尽型，夹断电压等于多少？ 答：（a）P-EMOSFET，开启电压 Vgs th =-2V （b） P-DMOSFET，夹断电压Vgs off （或统称为开启电压 VGS th ） = 2V （c） P-EMOSFET，开启电压 Vgs th 严-4V （d） N-DMOSFET，夹断电压Vgs Off （或也称为开启电压Vgs th ） = -4V 4-2 4个FET的转移特性分别如题4-2图（a）、（b）、（c）、（d）所示。设漏极电流io 的实际方向为正，试问它们各属于哪些类型的 FET?分别指出io的实际方向 是流进还是流出？ 答：（a）P-JFET，iD的实际方向为从漏极流出。 （b） N-DMOSFET，io的实际方向为从漏极流进。 （c） P-DMOSFET，io的实际方向为从漏极流出。 （d） N-EMOSFET, iD的实际方向为从漏极流进。 4-3 已知 N 沟道 EMOSFET 的卩 nCox=100y A/V2，VGS（th）=0.8V, W/L=10，求下 列情况下的漏极电流： （a） Vgs=5V，Vds=1V ; （ b） Vgs=2V，Vds=1.2V ; （c） Vgs=5V，Vds=0.2V; （d） Vgs=Vds=5V。 解：