模电总结复习资料.docVIP

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  • 2021-11-11 发布于辽宁
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第一章半导体二极管 一、半导体得基础知识 1、 半导体…导电能力介于导体与绝缘体之间得物质 (如硅Si、错Ge)。 2、 特性… 光敏、热敏与掺杂特性。 3、 本征半导体----纯净得具有单晶体结构得半导体。 4、 两种载流子----带有正、负电荷得可移动得空穴与电子统称为载流子。 5、 杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成得半导体。 体现得就是半导体得掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量得三价元素 (多子就是空穴,少子就是电子)。 *N 型半导体: 在本征半导体中掺入微量得五价元素 (多子就是电子,少子就是空穴)。 6、 杂质半导体得特性 *载流子得浓度…多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻… 通常把杂质半导体自身得电阻称为体电阻。 *转型… 通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7、 PN 结 PN 结得接触电位差 … 硅材料约为0、6~0、8V,错材料约为0、2~0、3V。 PN 结得单向导电性 … 正偏导通,反偏截止。 8、 PN结得伏安特性 j L WmA 托向特性 c r 反向特性 % mfTT h/uA 半导体二极管 *单向导电性…… 正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 * 正向导通压降…… 硅管0、6~0、7V,错管0、2~0、3V。 *死区电压——硅管0、5V,错管0、IV

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