模电总结复习资料.docxVIP

第一章半导体二极管 半导体的基础知识 半导体 … 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质 （如硅Si、错Ge）。 特性… 光敏、热敏和掺杂特性。 本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性 *P型半导体： 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子） *N 型半导体： 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴） 杂质半导体的特性 *载流子的浓度…多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻…通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型… 通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 PN 结 PN 结的接触电位差 … 硅材料约为0.6?0.8V，错材料约为 0.2?0.3V。 PN 结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 PN结的伏安特性 L WmA 托向特性 c r 反向特性 % mfTT h/uA 半导体二极管 *单向导电性……正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 * 正向导通压降…… 硅管0.6?0.7V，错管0.2?0.3V *死区电压—— 硅管0.5V，错管0.1V。 分析方法…… 将二极管断开，分析二极管两端电位的高低 若V阳＞V阴（正偏