焊线机操作的基础课件.pptVIP

銲線機操作的 基礎 １．銲線的種類 ２．結球銲線 (BALL BONDING) 的操作 ３．結球銲線的實際操作 ４． Bonding 用線材 ５． Bonding 用瓷嘴 ６．銲線技術（製程技術） 附錄１．拉力測試時 Pull 位置的影響 附錄２．關於 CRATERING 附錄３．關於電鍍 Ver.1 WIRE BONDING PROCESS 的基礎 目錄 １． 銲線的 種類 WIRE BONDING 將半導體 IC 晶片上的接續電極與 Package 外部引出用端子之間，利用打 線予以連接。將相連的金屬加熱，以熱或超音波振動、或熱 + 超音波振 動，使其接合。 ( 源自於 : SEAJ 半導體製造機台用語辭典 ) BALL BONDING 金 Au 、銅 Cu 線 Ball Bonder 熱壓著 TPC 方式 打線溫度：３００ ℃ 前後 低溫化 打線溫度：１００～２００ ℃ 前後 超音波?熱壓著方式 此方式是以降低打線溫度為目的所開發而成。 為彌補因溫度低造成熱能減少，因此附加上超 音波能量 Wedge Bonding 鋁 Al 、金 Au 線 Wedge Bonder Ver.1 使用Ａｕ線來銲線的技術，最早是在１９５０年代，由 美國貝爾研究所的研究小組所確立，之後美國機台製造 廠商開發手動式機台，將結球銲線的操作被實際應用， 且普及的被採用至今。 WIRE BONDING PROCESS 的基礎 2 参考資料 熱壓著法與超音波?熱壓著法的比較 －接合要素之比較－ 項目 熱壓著法 超音波?熱壓著法 接合要素 熱 熱 荷重 荷重 銲針磨動 VIB 超音波振動 U.S. 溫度 高 較低 （300℃以上） （200℃前後） －接合時所需的物理性効果比較－ 熱壓著法 超音波?熱壓著法 接合所需的物理性効果 （銲針磨動） 優（超音波振動） 塑性變形増大 （銲針磨動） 優（超音波振動） ? 變形量増加 ? 空孔密度増大 因温度使原子 優 劣（較低溫） 擴散定數増大 （高溫） 原子密度差距 ( 濃淡斜率 ) 増大 劣 優（超音波振動） Ver.1 WIRE BONDING PROCESS 的基礎 3 ２．銲線操作 ※無線弧控制之情形 ③ 半導体 ① 晶片 LEAD ② 金線釋出 搜尋動作 １ｓｔ 銲點 ⑧ 放電 形成金球 ⑥ ⑦ 線弧軌跡形成 ２ｎｄ 焊點 FEED UP 線尾產生 金球形成 ① 搜尋動作 在瓷嘴前端突出的線頂端形成金球，瓷嘴朝向１ｓｔ銲點位置（ PAD 表面）以低速（５ｍｍ／ｓｅｃ－２０ｍｍ／ｓｅｃ）下降。 ② １ｓｔ銲點 瓷嘴碰觸到銲墊表面後，依静荷重、超音波振動及溫度，使金球被 壓著在銲墊表面上。 ③ 打線弧 １ｓｔ銲點完成後，瓷嘴朝２ｎｄ銲點移動的過程中，瓷嘴上升約 ５ｍｍ，釋出線弧形成時所需的金線長度。 Ver.1 WIRE BONDING PROCESS 的基礎 ④ 金線吸入 ⑤ 線弧形成 ④－⑤ 線弧形成 接著在瓷嘴從最高點朝２ｎｄ銲點移動的過 程中，金線被瓷嘴吸入，連帶著多餘的線到 達２ｎｄ銲點。 ⑥ ２ｎｄ銲點 到達２ｎｄ銲點後，依静荷重、超音波振動 及溫度，使金線被壓著在 LEAD 表面。 ⑦ FEED UP 線尾產生 ２ｎｄ點銲線完成後，為了下次的打線時形 成所需的金球，既定的金線被釋出，上升 到 SPARK 的高度。 ⑧ 金球形成 瓷嘴上升至 SPARK 高度後，因放電而使金線 前端形成金球。 4 ３．結球銲線的實際操作手段 導線架 L/F ／基板 接著劑 半導體晶片 DIE BONDER 烘烤 DIE BONDER 線 Ball BONDER （機台技術） Ball Bonding 瓷嘴 Ver.1 WIRE BONDING PROCESS 的基礎 打線技術 （製程技術） 5 ４． Bonding 用