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图3.7 引线成形基本要求 第三十页，编辑于星期五：二十三点 四十六分。 半导体三极管和圆形外壳集成电路的引线成形要求如图3.8所示。图中除角度外，单位均为mm。 图3.8 三极管及圆形外壳引线成形基本要求 (a) 三极管；(b) 圆形外壳集成电路 第三十一页，编辑于星期五：二十三点 四十六分。 扁平封装集成电路的引线成形要求如图3.9所示。图中W为带状引线厚度，R≥2W，带状引线弯曲点到引线根部的距离应大于等于1 mm。 (5) 引线成形后的元器件应放在专门的容器中保存，元器件的型号、规格和标志应向上。 第三十二页，编辑于星期五：二十三点 四十六分。 图3.9 扁平集成电路引线成形基本要求 第三十三页，编辑于星期五：二十三点 四十六分。 3. 屏蔽导线的端头处理 为了防止导线周围的电场或磁场干扰电路正常工作而在导线外加上金属屏蔽层，即构成了屏蔽导线。在对屏蔽导线进行端头处理时应注意去除的屏蔽层不宜太多，否则会影响屏蔽效果。屏蔽线是两端接地还是一端接地要根据设计要求来定，一般短的屏蔽线均采用一端接地。 屏蔽导线端头去除屏蔽层的长度如图3.10所示。具体长度应根据导线的工作电压而定，通常可按表3.2中的数据选取。 第三十四页，编辑于星期五：二十三点 四十六分。 图3