MOS管参数详解及驱动电阻选择.doc

MOS管参数详解及驱动电阻选择 MOS管参数详解及驱动电阻选择 PAGE / NUMPAGES MOS管参数详解及驱动电阻选择 MOS管参数解说 MOS 管介绍 在使用 MOS 管设计开关电源或许马达驱动电路的时候，一般都要考虑 MOS 的导通电阻， 最大电压等，最大电流等要素。 MOSFET 管是 FET 的一种，能够被制造成加强型或耗尽型， P 沟道或 N 沟道共 4 种种类， 一般主要应用的为加强型的 NMOS 管和加强型的 PMOS 管，因此往常提到的就是这两种。 这两种加强型 MOS 管，比较常用的是 NMOS。原由是导通电阻小且简单制造。因此开关电 源和马达驱动的应用中，一般都用 NMOS。 在MOS 管内部，漏极和源极之间会寄生一个二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载 (如 马达)，这个二极管很重要，并且只在单个的 MOS 管中存在此二极管，在集成电路芯片内部 往常是没有的。 MOS 管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是因为制造工艺限制产生 的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有方法防止。 MOS 管导通特征 导通的意思是作为开关，相当于开封闭合。 NMOS 的特征，Vgs 大于必定的值就会导通， 适适用于源极接地时的状况 (低端驱动 )，只需 栅极电压达到必定电压（如 4V 或 10V, 其余电压，看手册）就能够了。 PMOS 的特征 ，Vgs 小于必定的值就会导通， 适适用于源极接 VCC 时的状况(高端驱动 )。 但是，固然 PMOS 能够很方便地用作高端驱动， 但因为导通电阻大，价钱贵，替代种类少等 原由，在高端驱动中，往常仍是使用 NMOS。 MOS 开关管损失 无论是 NMOS 仍是 PMOS，导通后都有导通电阻存在， 因此在 DS 间流过电流的同时， 两头 还会有电压，这样电流就会在这个电阻上耗费能量，这部分耗费的能量叫做导通消耗。选择 导通电阻小的 MOS 管会减小导通消耗。此刻的小功率 MOS 管导通电阻一般在几毫欧，几 十毫欧左右 MOS 在导通和截止的时候，必定不是在瞬时达成的。 MOS 两头的电压有一个降落的过程， 流过的电流有一个上涨的过程，在这段时间内， MOS 管的损失是电压和电流的乘积，叫做 开关损失。往常开关损失比导通损失大得多，并且开关频次越快，导通瞬时电压和电流的乘 积很大，造成的损失也就很大。 降低开关时间， 能够减小每次导通时的损失； 降低开关频次， 能够减小单位时间内的开关次数。这两种方法都能够减小开关损失。 MOS 管驱动 MOS 管导通不需要电流，只需 GS 电压高于必定的值，就能够了。但是，我们还需要速度。 在MOS 管的构造中能够看到，在 GS，GD 之间存在寄生电容，而 MOS 管的驱动，实质上 就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流， 因为对电容充电瞬时能够把电容当作短 路，因此瞬时电流会比较大。选择 /设计 MOS 管驱动时第一要注意的是可供给瞬时短路电流 的大小。 广泛用于高端驱动的 NMOS ，导通时需假如栅极电压大于源极电压。而高端驱动的 MOS 管导通时源极电压与漏极电压 (VCC) 同样，因此这时栅极电压要比 VCC 大(4V 或10V 其余 电压，看手册 )。假如在同一个系统里，要获得比 VCC 大的电压，就要特意的升压电路了。 好多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应当选择适合的外接电容，以获得足够的短路 电流去驱动 MOS 管。 Mosfet 参数含义说明 Features: Vds： DS 击穿电压. 当 Vgs=0V时，MOS的 DS所能蒙受的最大电压 Rds(on)：DS的导通电阻 . 当 Vgs=10V时，MOS的 DS之间的电阻 Id ： 最大 DS电流. 会随温度的高升而降低 Vgs: 最大 G S电压. 一般为：-20V~+20V Idm: 最大脉冲 DS电流. 会随温度的高升而降低，表现一个抗冲击能力，跟脉冲时 间也相关系 Pd: 最大耗散功率 Tj: 最大工作结温，往常为 150度和 175 度 Tstg: 最大储存温度 Iar: 雪崩电流 Ear: 重复雪崩击穿能量 Eas: 单次脉冲雪崩击穿能量 BVdss： DS 击穿电压 Idss: 饱和 DS电流，uA级的电流 Igss: GS驱动电流， nA级的电流. gfs: 跨导 Qg: G 总充电电量 Qgs: GS 充电电量 Qgd: GD充电电量 Td(on): 导通延缓时间，从有输入电压上涨到 10%开始到 Vds降落到其幅值 90%的时间 Tr: 上涨时间，输出电压 VDS 从 90% 降落到其幅值 10% 的时间 Td(off): 关断延缓时间， 输入电压降落到 90% 开始到 VDS 上涨到其关断电压时