半导体材料重点难点.docVIP

半导体材料重点难点 半导体材料重点难点 PAGE / NUMPAGES 半导体材料重点难点 半导体材料重点难点 章节 每节知识点 半导体材料的主要特征 绪论 半导体材料的分类 硅和锗的物理化学性质 高纯硅的制备： 3. 三氯氢硅氢还原法 4. 硅烷法 第一章 硅和锗的化学制备 5. 两种方法的优缺点 6. 精馏提纯 锗的富集和提纯 分凝现象和分凝系数 分凝现象 平衡分凝系数（会看相图，理解不同分凝系数对应首部富集和尾部富集） 、有效分凝系数 BPS 公式（各个物理量的含义，讨论影响分凝系数 的因素） 区熔原理 第二章 区熔提纯 10. 正常凝固的杂质浓度 Cs 的分布 vs 一次区熔的杂质 浓度 Cs 的分布 极限分布 杂质倒流 实际区熔为何最初几次选择大熔区，后几次用小熔区？ 影响区熔提纯的因素 锗的区熔提纯 晶体生长理论基础 晶体形成的热力学条件（三个条件） 理解晶核的形成过程（均匀成核 /非均匀成核）临界晶核半径、形核功（均匀成核 /非均匀成核）说明非均匀成核比均匀成核容易的原因 晶核长大的动力学模型 简述柯塞尔模型的要点（完整突变光滑面生长模型） 简述法兰克模型的要点（非完整突变光滑面模 型） 理解杰克逊界面平衡结构理论中杰克逊因子表 第三章 晶体生长 达式中各参数的物理意义，能解释取向因子如 何影响半导体材料的生长；能用杰克逊界面结 构理论概括晶体生长动力学机制与生