ESD与latchup测试总体介绍.ppt

ESD模型及有关测试;1、ESD模型分类;人体放电模式 (Human-Body Model, HBM);机器放电模式 (Machine Model, MM);机器放电模式 (Machine Model, MM);机器放电模式 (Machine Model, MM);组件充电模式 (Charged-Device Model, CDM);电场感应模式 (Field-Induced Model, FIM);HBM, MM与CDM模型参数比较;2KV HBM, 200V MM, 与1KV CDM的放电电流比较，其中1KV CDM的放电电流在不到1ns的时间内，便已冲到约15安培的尖峰值，但其放电的总时段约在10ns的时间内便结束。此种放电现象更易造成集成电路的损伤。;HBM, MM与CDM比较;2、HBM和MM测试方法标准;2、HBM和MM测试方法标准;2、HBM和MM测试方法标准;2、HBM和MM测试方法标准;2、HBM和MM测试方法标准;HBM和MM测试方法;所有管脚（一次一根）对（第X组）接地管脚（接地） 所有管脚（一次一根）对（第y组）电源管脚（接地） 所有I/O管脚（一次一根）对所有其他I/O管脚（接地） NC管脚 ——依美军标MIL-883不测试 ——依民标ESDA/JEDEC/AEC均要求测试 在每一测试模式下，IC的该测试脚先被打上(Zap)某一ESD电压，而且在同