磁存储和半导体存储PPT课件.ppt

《信息材料基础》 ——信息存储材料 廖宇龙 2017.09 ;主要内容： 一、磁性存储材料 二、光信息存储材料 三、半导体存储技术 四、MRAM存储材料及技术 五、RRAM存储材料及技术;一、磁性存储材料;磁记录材料先后经历了氧化物磁粉（γ-Fe2O3）、金属合金磁粉（Fe－Co－Ni等合金磁粉）和金属薄膜三个阶段。矫顽力和剩磁都得到了很大的提升。 金属薄膜是高记录密度的理想介质。;垂直磁记录－磁化方向和记录介质的平面相垂直的记录方式。 它可彻底消除纵向磁记录方式随记录单元缩小所产生的退磁场增大的效应，因而更有利于记录密度的提高。同时对薄膜厚度和矫顽力的要求可更宽松。但其对信号的读出效率较差，要求磁头必须距记录介质面很近。;高密度磁性存储磁头材料;磁头在磁记录过程中经历了几个阶段： 体形磁头－薄膜磁头－ 磁阻磁头－巨磁阻磁头;磁阻、巨磁阻效应－;上世纪80年代末法国巴黎大学Fert教授课题组提出和发现的巨磁阻（GMR）效应可使Ni－Fe系列磁阻效应高一个数量级以上，引起极大轰动，也为磁头技术带来了突飞猛进的发展。该项成果也获得了2007年诺贝尔物理奖。 GMR效应主要基于电子自旋特性产生。;;巨磁电阻电阻网络模型(Mott二流体模型);1986 发现AF耦合;二、光信息存储材料; 在未来10年内，磁存储和光盘存储仍为高密度信息外存储的主要手段。 今后高性能的硬盘主要为计算机联机在线