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原理：
金属有机化学气相沉积系统（MOCVD)是利用金属有机化合物作为源物
质的一种化学气相淀积（CVD)工艺，其原理为利用有机金属化学气相沉积法
metal-organic chemical vapor deposition.MOCVD是一种利用气相反应物，或
是前驱物precursor 和Ⅲ族的有机金属和V 族的NH3，在基材substrate 表面进
行反应，传到基材衬底表面固态沉积物的工艺。
优缺点：
MOCVD设备将Ⅱ或Ⅲ族金属有机化合物与Ⅳ或Ⅴ族元素的氢化物相
混合后通入反应腔，混合气体流经加热的衬底表面时，在衬底
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