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课时跟踪检测(三十) 带电粒子在组合场中的运动
A卷 基础保分专练
1. (2016全国卷I )现代质谱仪可用来分析比质子重很多倍的离子, 其示意图如图所示,其中加速电压恒定。质子在入口处从静止开始被加 速电场加速,经匀强磁场偏转后从出口离开磁场。若某种一价正离子在 入口处从静止开始被同一加速电场加速, 为使它经匀强磁场偏转后仍从
同一出口离开磁场,需将磁感应强度增加到原来的 12倍。此离子和质
子的质量比约为( )
A. 11 B. 12
C. 121 D. 144
1
解析:选D 带电粒子在加速电场中运动时,有 qU = 2mv2,在磁场中偏转时,其半径
r = qBV,由以上两式整理得:r = B “ ;晋。由于质子与一价正离子的电荷量相同,
B1 :B2
=1 :12,当半径相等时,解得: 严=144,选项D正确。
2.回旋加速器是加速带电粒子的装置, 其核心部分是分别与高频交流电
源两极相连接的两个 D形金属盒,两盒间的狭缝中形成周期性变化的电场, 使粒子在通过狭缝时都能得到加速,两 D形金属盒处于垂直于盒底的匀强
磁场中,如图所示。设 D形盒半径为 R。若用回旋加速器加速质子时,匀 强磁场的磁感应强度为 B,高频交流电频率为 f。则下列说法正确的是(
A •质子被加速后的最大速度不可能超过 2nR
B.质子被加速后的最大速度与加速电场的电压大小有关
C.高频电源只能使用矩形交变电流,不能使用正弦式交变电流
D .不改变B和f,该回旋加速器也能用于加速 a粒子
解析:选A 由T= 2鱼,t = 1,可得质子被加速后的最大速度为
v f
2dR,其不可能超过
2 nR,质子被加速后的最大速度与加速电场的电压大小无关,选项
A正确,B错误;高频
电源可以使用正弦式交变电源,选项
C错误;要加速 a粒子,高频交流电周期必须变为
粒子在其中做圆周运动的周期,即T =諧,故选项D错误。
3. (2019广东韶关质检)如图所示,一个静止的质量为 m、带电荷量 为q的粒子(不计重力),经电压U加速后垂直进入磁感应强度为 B的匀 强磁场,粒子在磁场中转半个圆周后打在 P点,设OP= x,能够正确
反应x与U之间的函数关系的是(
)
匸
匕
一 L
U °
U U
A
B
C
D
解析:选B 带电粒子经电压
U加速,
由动能定理,
1 2
qU = ?mv,粒子垂直进入磁感应
所以能够正确反应 x与U之间的函数关系的是图 B。
4. (多选)如图所示,在x轴的上方有沿y轴负方向的匀强电场,电 场强度为E,在x轴的下方等腰三角形 CDM区域内有垂直于 xOy平面
粒子,从y轴上的P点由静止释放,设 P点到0点的距离为
力作用与空气阻力的影响。下列说法正确的是 ( )
h = B a」,则粒子垂直CM射出磁场
2mE
h=B a」,则粒子平行于 x轴射出磁场
2mE
B2a2q
h=乔疳1,则粒子垂直cm射出磁场 h = B a」,则粒子平行于x轴射出磁场
8mE
v2
牛顿第二定律得 qvB= my,联立解得:r= a,根据几何知识可知粒子垂直 CM射出磁场,
故A正确,B错误。若h= Bmf,同理可得:r = *a,则根据几何知识可知粒子平行于 x轴
射出磁场,故C错误,D正确。
5. (多选)(2019温州中学模拟)在半导体离子注入工艺中,初速度可 忽略的磷离子 p和p3+,经电压为 U的电场加速后,垂直进入磁感应强 度大小为B、方向垂直纸面向里、 有一定宽度的匀强磁场区域, 如图所示。
已知离子P在磁场中转过 0= 30°后从磁场右边界射出。在电场和磁场中 运动时,离子 P*和P3+ ( )
A •在电场中的加速度之比为 1 : 1
B.在磁场中运动的半径之比为 2 : 1
C .在磁场中转过的角度之比为 1 : 2
D .离开电场区域时的动能之比为 1 : 3
解析:选CD 两个离子的质量相同,其带电荷量之比是 13的关系,所以由a =电可
md
知,其在电场中的加速度之比是 1 3,故A错误。要想知道半径必须先知道进入磁场的速度,
而速度的决定因素是加速电场,所以在离开电场时其速度表达式为:v = i^mu,可知其
2
速度之比为1 : 3。又由qvB = m*知,r =罷,所以其半径之比为• 31,故B错误。由B 项分析知道,离子在磁场中运动的半径之比为 3 :1,设磁场宽度为 L,离子通过磁场转过的
角度等于其圆心角,所以 sin 0= L,则可知角度的正弦值之比为 1 :. 3,又P +的偏转角度为
30°可知P3 +的偏转角度为60°即在磁场中转过的角度之比为 1 :2,故C正确。由电场加
1 2
速后:qU= 2mv可知,两离子离开电场的动能之比为 1 3,故D正确。
6. (201
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