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ESD器件防护原理 一、 ESD器件的主要性能参数 2 二、 TVS 管 ( 硅半导体 ) 2 三、 压敏电阻 (MLV/MOV) 3 四、 TVS 管和压敏电阻应用场合 4 ESD器件防护原理 这里介绍手机中比较常用的 TVS 管和压敏电阻。 一、 ESD器件的主要性能参数 1、最大工作电压 (Max Working Voltage) 允许长期连续施加在 ESD保护器件两端的电压 ( 有效值 ) ，在此工作状态下 ESD器件不导通，保持高阻状态，反向漏 电流很小。 2、击穿电压 (Breakdown Voltage) ESD 器件开始动作 ( 导通 ) 的电压。一般地， TVS 管动作电压比压敏电阻低。 3、钳位电压 (Clamping Voltage) ESD 器件流过峰值电流时，其两端呈现的电压，超过此电压，可能造成 ESD永久性损伤。 4、漏电流 (Leakage Current) 在指定的直流电压 ( 一般指不超过最大工作电压 ) 的作用下，流过 ESD器件的电流。一般地， TVS管的反向漏 电流是 nA 级，压敏电阻漏电流是 μA 级，此电流越小，对保护电路影响越小。 5、电容 (Capacitance) 在给定电压、频率条件下测得的值，此值越小，对保护电路的信号传输影响越小。比如硅半导体 TVS 管的 结电容 (pF 级 ) ，压敏电阻的寄生电容 (nF 级 ) 6、响应时间 (Response Time) 指 ESD器件对输入的大电压钳制到预定电压的时间。一般地， TVS管的响应时间是 ns 级，压敏电阻是 μs 级， 此时间越小，更能有效的保护电路中元器件。 7、寿命 (ESD Pulse Withstanding) TVS技术利用的是半导体的钳位原理，在经受瞬时高压时，会立即将能量释放出去，基本上没有寿命限制；而压敏 电阻采用的是物理吸收原理， 因此每经过一次 ESD事件，材料就会受到一定的物理损伤， 形成无法恢复的漏电通道， 会随着使用次数的增多性能下降，存在寿命限制。 二、 TVS 管( 硅半导体 ) 瞬态抑制二极管（ Transient Voltage Suppressor ）简称 TVS，是一种二极管形式的高效能保护器件，利用 P-N 结的反向击穿工作原理，将静电的高压脉冲导入地，从而保护了电器内部对静电敏感的元件。以 TVS二极管为例：当 瞬时电压超过电路正常工作电压后， TVS 二极管便发生雪崩，提供给瞬时电流一个超低电阻通路，其结果是瞬时电流 通过二极管被引开，避开被保护器件，并且在电压恢复正常值之前使被保护回路一直保持截止电压。当瞬时脉冲结束 以后， TVS二极管自动回复高阻状态，整个回路进入正常电压。 TVS 管的失效模式主要是短路，但当通过的过电流太大 时，也可能造成 TVS 管被炸裂而开路。 TVS 管有单向和双向两种，单向 TVS 管的特性与稳压二极管相似，双向 TVS 管的特性相当于两个稳压二极管反向 串联，其 I-V 曲线特性图见图 1，图中性能参数注解： ① 反向断态电压 ( 截止电压 ) 与反向漏电流 ：反向断态电压 ( 截止电压 ) 表示 TVS 管不导通的最 V RWM I R