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如何用 MSP430 单片机 flash 存储数据 MSP430 FLASH 型单片机的FLASH 存储器模块根据不同的容量分为若干段，其中信息存储器SegmengA 及 SegmentB 各有 128 字节，其他段有 512 字节。SegmentB 的地址是：0x01000h 到 0x107F，SegmentA 的地址是：0x01080h 到 0x010FFh。其他段的地址根据容量不同，从0xFFFFh开始，每 512 字节为一段进行分配。 FLASH 存储器写入数据时，每一位只能由“1变”成“0，”不能由“0变”成“1，“因此，当我们有数据要保存到FLASH 存储器时，要先对目标段进行整段擦除操作，擦除操作使的对应段FLASH 存储器变成全“1。”下面是擦除 FLASH 段的子程序，配置好必要的寄存器后，向段中任意地址写入数据，及擦除一段。 void flash_clr(int *ptr) { _DINT(); 关//中断 FCTL3 = 0x0A500; //* Lock 开= 锁0 FCTL1 = 0x0A502; //* Erase使=能1擦除 *((int *) ptr) = 0擦; 除//段* } FLASH 存储器可以按字节写入，也可以按字写入。 void flash_write_int8(int8_t *ptr, int8_t字v节al写ue入) // { _DINT(); FCTL3 = 0x0A500; // Lock 开= 锁0 FCTL1 = 0x0A540; // Write使=能1写入 *((int8_t *) ptr) = val写ue入; 数//据 } void flash_write_int16(int16_t *ptr, int16_t字v写al入ue) // { _DINT(); FCTL3 = 0x0A500; /* Lock = 0 */ FCTL1 = 0x0A540; /* Write = 1 */ *((int16_t *) ptr) = value; /* Program the flash */ } // FLASH存储器可以连续写入 按字节写入指定的数量的数据void flash_memcpy(char *ptr, char *from, int len) { _DINT(); FCTL3 = 0x0A500; /* Lock = 0 */ FCTL1 = 0x0A540; /* Write = 1 */ while (len) { *ptr++ = *from++; l在en我--们; 个自定义的结构中，例如： typedef struct Setup { 的} 应} 用程序中可以将要保存的数据放在一 float gain_ch0; 通//道0增益 float gain_ch1; 通//道1增益 float gain_ch2; 通//道2增益 char init_flag初;始//化标记，恒为 0xAA; }SETUP; 我们定义了一个 SETUP 结构，存放三个 AD 通道的增益，以及其他要掉电保存的信息， init_fla的g作用是标志 FLASH 的参数是否已被正确初始化，当我们设置了FLASH 参数后，将 init_fla置g一个固定值，例如设为0xAAh ，在程序开始运行时，检查init_fl，ag当 init_fla的g值为 0xAAh 时，表明参数已被初始化。 使用FLASH 参数：在程序中定义一个 SETUP 类型的指针变量，通过这个指针访问 FLASH 中的参数。例如： #define SegmentA 0x1080 float temp; SETUP *p_setup_flash = (SETUP *) SegmentA if(p_setup_flash- init_flag == 0xAA) { temp = p_setup_flash-gain_ch0; } 修改FLASH 信息：由于 FLASH 不能象RAM 一样直接修改，可以将 FLASH 信息拷贝到RAM 中，修改相应参数后，重新保存到FLASH 存储器中，之前要先擦除FLASH 存储区。例如： SETUP *p_setup; SETUP buf; /临/ 时变量 p_setup = (SETUP *) SegmentA指/向/ FLASH memcpy((char *) buf, (char *) p_setup_flash, sizeof(拷SE贝TU到P))R;AM// p_setup = buf; /指/向 RAM p_setup- gain_ch0 = 1.02修; 改//参数 flash_memcpy((char *) p_setup_flash, (char *) buf