材料科学基础6.pptxVIP

1;电导率和电阻率;电阻由体积电阻Rv及表面电阻Rs两部分组成 ;根据电阻率或电导率数值大小，将材料分成超导体、良导体、半导体和绝缘体等;金属和合金;电导率的基本参数 ;材料的导电现象其微观本质是载流子在电场作用下的定向迁移。 如果介质处在外电场中，则作用于每一个载流子的力等于qE。在这个力的作用下，每一载流子在E方向发生漂移，其平均速度为v(m·s-1)。容易看出，单位时间(1s)通过单位截面的电荷量为： J=nqv J即为电流密度，显然，J=I／S。速度为v，截面为S的载流子总电荷量为nqv。 E：电场强度;电导率 令μ=v／E，并定义其为载流子的迁移率，其物理意义为载流子在单位电场中的迁移速度，于是： ;电阻率的大小直接取决于单位体积中的载流子数目、每个载流子的电荷量和每个载流子的迁移率。产生电流的载流子有四种类型：电子、空穴、正离子、负离子。载流子的迁移率取决于原子结合的类型、晶体缺陷、掺杂剂类型和用量及离子在离子化合物中的扩散速率。 ;影响无机非金属材料电导率的因素 ;影响离子电导率的因素之温度;离子电导率随活化能按指数规律变化，而活化能反映离子的固定程度，它与晶体结构有关。那些熔点高的晶体，晶体结合力大，相应活化能也高，电导率就低。 离子电荷的高低对活化能也有影响。一价正离子尺寸小，电荷少，活化能小，迁移率较高；高价正离子价键强，从而活化能大，故迁移率较低。 结构紧密的离子晶体，由于可供移动的间隙小，则间隙离子迁移困难，即其活化能高，因而可获得较低的电导率。 ;影响离子电导率的因素之晶格缺陷 ;影响电子电导率的因素之温度 ;影响电子电导率的因素之杂质及缺陷的影响 ;单个自由原子的电子占据了原子轨道，形成一个分立的能级结构。如果几个原子集合成分子，他们的原子轨道发生类似于耦合振荡的分离。这会产生与原子数量成比例的分子轨道。当大量的原子集合成固体时，轨道数量急剧增多，轨道相互间的能量的差别变的非常小。但是，无论多少原子聚集在一起，轨道的能量都不是连续的，可看作是准连续的，即形成了能带。;相邻两能带间的能量范围称为“能隙”或“禁带”。晶体中电子不能具有这种能量。完全被电子占据的能带称“满带”，满带中的电子不会导电；完全末被占据的称“空带”；部分被占据的称“导带”。 导带中的电子能够导电，价电子所占据能带??“价带”。能量比价带低的各能带一般都是满带，价带可以是满带，也可以是导带。 ; 固体理论指出：在无外电场作用时，无论绝缘体、半导体或导体都无电流；在外电场作用下，不满带导电而满带不导电。由此可以得出一个区别导体和绝缘体的原则，即固体中虽然有很多电子，但是如果一个固体中的电子恰好充填某一能带及其下面的一系列能带，并且在此之上相隔一个较宽禁带的其他能带都是空的，那么它就是绝缘体[图6-5(a)]。相反，如果电子未能填满最高的能带[图6-5(c)]，或者能带之间有重叠，结果就会形成导体 ;①碱金属 它是属于不满带的情况，故为导体，其中每个原子都有一个s价电子。众多原子聚合成固体后，s能级将分裂成很宽的s能带，而且是半充满的。 ②碱土金属 由碱土元素形成的晶体，例如镁，每个原子有两个3s能带是满的，但它不是绝缘体而是导体，因为它们的3s能带与较高的能带有交叠的现象。铍、镁等碱土金属都有能带重叠，故能导电。但是重叠程度有差异，例如钙的上、下两个能带重叠的部分很小，因而是不良导体。; ③贵金属 习惯上常把铜、银、金称为贵金属。它们都有一个s态价电子，但有以下几点与碱金属不同：d壳层是填满的，而碱金属的d壳层完全空着；具有面心立方结构；因d壳层填满，原子恰如钢球，不易压缩，贵金属等的价电子数是奇数，本身的能带也没有填满，故为良导体。 ④过渡金属 过渡金属具有未满的d壳层。这是与贵金属原子的主要区别。其d壳层的半径比外面s价电子小得多，当金属原子结合形成晶体时，d壳层的电子云相互重叠较少，而外面价电子壳层的电子云重叠得甚多，故d带的特点是又低又窄，可以容纳的电子数多，即可容纳10N个(N为原子数)。s带的特点是很宽，上限很高，可以容纳的电子数为2N。因此，过渡金属的d层能夺取较高的s带中的电子而使能量降低，导致它们的结合能较大，而强度较高，导电性下降。如Fe、Ni、Co等的3d与4s带有交叠现象，有导电性。 ;绝缘体的能带 ;半导体的能带 ;n型半导体： 在Si、Ge等四价元素中掺人少量五价元素P、Sb、Bi、As等，因价电子多出一个，在导带附近会形成由杂质造成的能级。这种杂质能级与导带之间的禁带宽度很窄(例如P，约为1．602×10-21J)，故多余的一个电子在室温下就可跃迁到导带上去。这类电子型导电的半导体，称为n型半导体。 ;材料的半导电性 ;半导体分