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PAGE PAGE 1 一种异质结的制备方法与流程 1.本创造属于二维材料制备技术领域，涉及一种异质结的制备方法，特殊是一种基于电化学自组装的方法制备异质结的方法。背景技术：2.异质结是由两种不同的半导体材料相接触所形成的界面区域。依据两种材料的导电类型不同，异质结可分为同型异质结(p-p结或n-n结)和异型异质(p-n或p-n)结，多层异质结称为异质结构。通常形成异质的条件是：两种半导体有相像的晶体结构、相近的原子间距和热膨胀系数。利用界面合金、外延生长、真空淀积等技术，都可以制造异质结。异质结常具有两种半导体各自的pn结都不能达到的优良的光电特性，使它适宜于制作超高速开关器件、太阳能电池以及半导体激光器等。3.二维材料异质结是由两种或两种以上不同种二维材料通过面内拼接或层间堆叠形成的，并由此可分为二维材料面内异质结和垂直异质结。二维材料面内异质结可以实现区域内载流子的特殊传输行为；而垂直异质结中的层间量子耦合效应能够导致新颖的光电特性。单一的二维材料在应用时往往存在肯定的局限，为了深化争辩材料本征性质并扩展其应用领域，争辩者将目光放在了二维材料异质结上。4.cn107564947a公开了一种纳米异质结构，该纳米异质结构包括一第一碳纳米管，该第一碳纳米管朝一第一方向延长；一半导体层，该半导体层的厚度为1-200纳米；一其次碳纳米管，该其次碳纳