半导体激光器原理及应用.pptVIP

光束亮度 光纤耦合输出激光光束的主要参数是光纤芯径和数值孔径。对于一定功率的光纤耦合半导体激光器，这两个参数直接决定了光束的亮度 式中NA为光纤数值孔径；Φ为光纤的芯径，p为光纤的输出功率，u为光学系统物方的孔径角。为了得到高亮度光纤，可提高输出功率或减小光纤的数值孔径和光纤芯径。由于亮度和芯径、数值孔径的二次方成反比，因此后者对提高光纤的亮度更为有效。 第六十二页，编辑于星期二：二点 三分。 半导体激光器的热特性 引发机制： 在半导体激光器中，由于不可避免的存在着各种非辐射复合损耗、自由载流子吸收等损耗机制，使外微分量子效率只能达到20％~30％，意味着相当部分注入的电功率转换为了热量，引起激光器的升温。这会导致LD的阈值电流增大、发射波长红移、模式不稳定、增加内部缺陷，严重影响器件的寿命。 解决办法： 1）加风扇或者冷水循环降温； 2）使用帕尔贴半导体制冷器。 第三十页，编辑于星期二：二点 三分。 半导体激光器的可靠性 半导体激光器都有工作寿命，工作寿命有两种定义方式： 1）激光器在额定工作电流下连续工作，当其输出功率下降到初始值一半所 经历的时间。（恒流） 2）激光器在额定功率下连续工作，当其阈值电流比初始值升高一倍所经历 的时间。（恒功率） 上述两种方式下激光器寿命的延续过程是一种性能退化过程，最终导致其失效。造成激光器退化有多种原因，有环境因素，人为的因素，根本原因还是激光器本身内部的因素。 第三十一页，编辑于星期二：二点 三分。 二、半导体激光器 1962年，美国，同质结GaAs半导体激光器，液氮温度下脉冲工作。 1967年，液相外延的方法制成单异质结激光器，实现了在室温下脉冲工作。 1970年，美国的贝尔实验室制成了双异质结半导体激光器,实现了室温连续工作。 70年代以后。量子阱技术、MBE、MOCVD新型外延技术---量子阱激光器（阈值电流密度低、电光转换效率高、输出功率大）。应变量子阱，生长非晶格匹配的外延材料，拓宽了激光器波长范围。 第三十二页，编辑于星期二：二点 三分。 3.1 同质结半导体中的光增益 激光二极管采用注入电流直接驱动。 pn结加正向电压，空穴将会向n型区移动，电子向p型区移动。在pn结处，电子和空学复合，产生光电子。 注入的电荷密度1018~1019cm-3，产生的光子就会大于损失的光子。 早期激光二极管采用的是GaAs同质结结构。有源层的厚度由扩散长度决定，一般为2μm。 第三十三页，编辑于星期二：二点 三分。  异质结激光器的“结”是用不同的半导体材料制成的，采用异质结激光器的目的是为了有效地限制光波和载流子，降低阈值电流，提高效率。一.异质结激光器的结构A.单异质结激光器与双异质结激光器（从材料）GaAs材料与GaAl材料Ga1-xAlxAs是指在GaAs材料中掺入AlAs而形成，叫作砷镓铝晶体，1-x,x是指AlAs与GaAs的比例。 异质结半导体激光器 第三十四页，编辑于星期二：二点 三分。 B.反型异质结与同型异质结（从导电类型）反型：如n-GaAs与p-GaAlAs or p-GaAs与n-GaAlAs 同型：如p-GaAs与p-GaAlAs or n-GaAs与n-GaAlAs 单异质结的能带图 双异质结激光器的能带结构 第三十五页，编辑于星期二：二点 三分。 垂直波导结构 垂直结构，也就是外延层结构，包括光波导和采用量子阱的PN结。 波导的设计利用了折射率n随禁带宽度变化这一特点（禁带宽度增加折射率降低）。 QW被镶嵌在高折射率材料的核心区，盖层的折射率比核心区要低。 AlAs： 折射率为2.9，禁带宽度2.9eV。 GaAs：折射率为3.5，禁带宽度1.4eV。 分别限制异质结（SCH） 第三十六页，编辑于星期二：二点 三分。 异质结激光器的优点 与同质结激光器相比，异质结激光器具有以下优点： 1）阈值电流低，同时阈值电流随温度的变化小； 2）由于界面处的折射率差异，光子被限制在作用区内； 3）能实现室温下的连续振荡。 异质结激光器的主要改进方向： 1）进一步降低阈值电流密度和提高效率 2）拓展异质结激光器的光谱波段 第三十七页，编辑于星期二：二点 三分。 分布反馈式（DFB）半导体激光器 与其他的激光器最大的差异，在于谐振腔内的光反馈是利用周期结构的布拉格反射建立的，而不再用解离面来做光反馈，它有如下优点： 1）符合集成光路中将调制器、开关、光波导和光源等制作在一块单片上的要 求； 2）易于获得单模单频率的输出，容易与光纤及调制器耦合。 第三十八页，编辑于星期二：二点 三分