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　 基本概念 （1）肖脱基空位：某些原子获得足够高的能量时，就可以克服周围的束缚，离开原来的平衡位置，跑到晶体表面或晶界，就形成了肖脱基空位。 （2）弗伦克尔空位：是指原子离开其平衡位置而进入附近的间隙位置，在原来的位置上留下空位所形成的缺陷 （3）刃型位错：在金属晶体中，由于某种原因，晶体的一部分相对于另一部分出现一个多余的半原子面。这个多余的半原子面有如切入晶体的刀片，刀片的刃口线即为位错线，这种线缺陷称为刃型位错。 （4）螺型位错：一个晶体的某一部分相对于其余部分发生滑移，原子平面沿着一根轴线盘旋上升，每绕轴线一周，原子面上升一个晶面间距。在中央轴线处即为一螺型位错 （5）柏氏矢量：柏氏回路包含的位错所引起点阵畸变的总积累，通常将柏氏矢量称为位错强度，它也表示出晶体滑移时原子移动的大小和方向。在含有位错的实际晶体中作一个包含位错发生畸变的回路，然后将这同样大小的回路置于理想晶体中，此时回路将不能封闭，需引一个额外的矢量b连接回路，才能使回路闭合，这个矢量b就是实际晶体中位错的柏氏矢量 （6）位错密度：定义为单位体积晶体中所含的位错线的总长度。位错密度的另一定义是：穿过单位截面积的位错线数目，单位也是1/平方厘米 （7）位错滑移：是指位错在晶体内沿滑移面的运动。在切应力作用下，原子发生位错是在包含其伯格斯矢量的平面上运动，其运动方式类似蠕虫爬行，称为位错滑移。 　（8）单位位错：实际晶体中存在的位错的柏氏矢量仅限少于最短的平移矢量的两个原子具有这种柏氏矢量的位错称为单位位错。 　（9）不全位错：除了单位位错外，晶体中还可能形成一些柏氏矢量小于滑移方向的原子间距的位错，即柏氏矢量不是从一个原子到另一个位置，而是从原子位置到结点之间的某一位置，这类位错称不全位错。 　（10）堆垛层错（stacking fault）是广义的层状结构晶格中常见的一种面缺陷。它是晶体结构层正常的周期性重复堆垛顺序在某二层间出现了错误，从而导致的沿该层间平面两侧附近原子的错误排布。 　（11）表面能：物质的表面具有表面张力σ，在恒温恒压下可逆地增大表面积dA，则需功σdA，因为所需的功等于物系自由能的增加，且这一增加是由于物系的表面积增大所致，故称为表面自由能或表面能。　　 （12）界面能：是在恒温恒压条件下增加单位 界面体系(或表面体系) 内能的 增量。 共格界面 ：界面两侧的点阵在跨越界面处是一对一地相互匹配，就是说，在跨越界面的方向上，界面两侧的点阵列和点阵面都完全具有连续性的界面。 （13）混合位错：晶体的某一区域既有刃型位错也有螺型位错，两种位错交合到一起就形成了混合位错。 （14）位错的攀移：攀移的实质是多余半原子面的伸长或缩短。 （15）弗兰克-瑞德源：位错线的两端固定不动，在滑移面上施加一个大致与位错线垂直的切应力，位错线受力变形，产生弯曲，以弧形向外逐渐拓展，最后位错线重新闭合形成一个环形位错，逐渐向外拓展，同时两端固定的位错线在切应力的作用下又产生弯曲，向外拓展，由此这条位错线在切应力的作用下不断的产生新的位错，成为了一个位错源。这就是F-R位错源。 （16）派-纳力：实际晶体中，位错的滑移要遇到多种阻力，其中最基本的固有阻力是晶格阻力，即派-纳力。 （17）汤普森四面体;？？？？？ (18)位错反应：晶体中两条或更多条位错线可以合并为一条位错线，反之一条位错线也可以分解为两条或更多条位错线，位错的合并或分解统称为位错反应。 （19）拓展位错：由两个不全位错中间夹着层错所构成的位错组态。 （20）对称倾侧晶界：简单立方的对称倾侧晶界由一系列柏氏矢量相互平行的同号刃位错垂直排列而成，晶界两边对称，两晶粒的位向差很小，两晶粒的柏氏矢量成轴对称。 （21）重合位置点阵：在二维正方点阵中相邻两晶粒位相差相差一定角度，这两晶粒的点阵彼此向对方延伸，其中一些原子将出现有规律的重合，由这些重合位置点所组成的比原来晶体点阵大的新点阵就是重合位置点阵。 （22）共格界面：相界面上的原子同时处于两相点阵的结点上称为共格界面。 （23）失配度：两相界上原子没有一一对应的程度。 （24）非共格晶面：相界面上的原子既不处于两相阵的结点上也不在两结点连线的中心上，相界面的错配度很大的界面。 （25）内吸附：？？？？