模拟cmos集成电路设计拉扎维mos器件物理基础.pptx

1;授课内容;上一讲;上一讲;掌握器件物理知识的必要性;本讲;本讲的目的;MOS管简化模型;MOS管的结构;MOS管的结构;MOS管的符号;本讲;沟道电荷的产生;阈值电压;I/V特性－沟道随VDS的变化;I/V特性—推导I(VDS,VGS);I/V特性—推导I(VDS,VGS);I/V特性—线性区;I/V特性—当VDS2(VGS-VTH)时？;I/V特性—当VDSVGS-VTH时？;I/V特性—当VDSVGS-VTH时;I/V特性—当VDSVGS-VTH时;I/V特性—当VDSVGS-VTH时;I/V特性—PMOS管;跨导gm;跨导gm;MOS管工作在哪个区？;本讲;二级效应;阈值电压和体效应;阈值电压和体效应;体效应对电路性能??响;利用体效应工作的电路实例;沟道长度调制效应;沟长调制效应;亚阈值导电性;亚阈值导电性[Gray];用亚阈值特性确定阈值电压;用亚阈值特性确定阈值电压;亚阈值区时的跨导;电压限制;本讲;MOS器件版图;MOS器件版图;MOS管中的电容;MOS管中的电容;MOS管中的电容－低电容版图;MOS管中的电容－不同工作区;MOS管中的电容－不同工作区;MOS大信号和小信号模型;MOS饱和区时的小信号模型;MOS饱和区时的小信号模型;MOS管的完整小信号模型;MOS小信号模型中的电阻;MOS SPICE模型;NMOS管与PMOS管;长沟道器件和短沟道器件;MOS管用作电容器时;总结;作业;下一讲