数电半导体存储器PPT课件.ppt

第七章 半导体存储器;第七章 半导体存储器;;;二、分类 1、从存/取功能分： ①只读存储器 (Read-Only-Memory） ②随机读/写 （Random-Access-Memory） 2、从工艺分： ①双极型 ②MOS型 ;　　１．存储容量 　　存储器包含基本存储单元的总数。一个基本存储单元能存储１位(Bit)的信息，即一个0或一个1。 存储器的读写操作是以字为单位的，每一个字可包含多个位。;7.2 ROM 7.2.1 掩膜ROM 一、结构 ;二、举例 ;地 址;两个概念： 存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”，存储单元中有器件存入“1”，无器件存入“0” 存储器的容量：“字数 x 位数”;掩膜ROM的特点： 出厂时已经固定，不能更改，适合大量生产 简单，便宜，非易失性;7.2.2 可编程ROM（PROM）;7.2.2 可编程ROM（PROM）;;二、电可擦除的可编程ROM（E2PROM） 总体结构与掩膜ROM一样，但存储单元不同 ;三、快闪存储器（Flash Memory） 为提高集成度，省去T2（选通管） 改用叠栅MOS管（类似SIMOS管）;;7.3 RAM;二、SRAM的存储单元 ;7.3.2* 动态随机存储器（DRAM） 动态存储单元是利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理 ;7.4 存储器容量的扩展;7.4.2 字扩展方式;;;7.5 用存储器实现组合逻辑函数;;二、举例