离子束溅射PPT课件.ppt

引言 为何要使用离子束溅射 溅射系统的一个主要缺点就是工作压强较高，由此导致溅射膜中有气体分子的进入。而离子束溅射，除具有工作压强低，减小气体进入薄膜，溅射粒子输送过程中较少受到散射等优点外，还可以让基片远离离子发生过程。 离子束溅射的靶和基片与加速极不相干，因此，通常在传统溅射沉积中由于离子碰撞引起的损伤会降到极小。并且在外延生长薄膜领域，离子束溅射沉积变得非常有用。因为在高真空环境下，离子束溅射出来的凝聚粒子具有超过10eV的动能。即使在低基片温度下，也会得到较高的表面扩散率，对外延生长十分有利。 离子束溅射薄膜沉积装置示意图 1.离子束溅射的基本原理 产生离子束的独立装置被称为离子枪，它提供一定的束流强度、一定能量的Ar离子流。离子束以一定的入射角度轰击靶材并溅射出其表层的原子，后者沉积到衬底表面即形成薄膜。在靶材不导电的情况下，需要在离子枪外或是在靶材的表面附近，用直接对离子束提供电子的方法，中和离子束所携带的电荷。 2.离子束溅射的基本规律 描述离子束溅射的主要参量分别是溅射阈能、溅射产额和淀积速率。 那什么是溅射阈能、溅射产额和淀积速率呢？ 溅射阈能 溅射阈能是指开始出现溅射时初级离子的能量。 也就是说是将靶材原子溅射出来所需的入射离子的最小能量值。当入射离子的能量低于溅射阈能时，不会发生溅射现象。溅射阈能与入射离子的质量无明显的依赖关系，但与靶材却有很大的关系。阈能随靶材原子序数的增加而减少。对于大多数金属来说，溅射阈能为20-40eV。 溅射产额 溅射产额指的是一个初级离子平均从表面上溅射的粒子数。也就是指平均每入射一个粒子从靶表面溅射出来的原子数，即 影响溅射产额的因素 靶材料的表面结构、原子序数 入射离子的角度、能量 衬底温度 2.1 溅射产额与靶表面的关系 在实际的离子束溅射中，溅射靶表面上不可避免地存在一些微观孔洞。而在离子束溅射模拟中，通常认为靶表面是平滑的。所以，在实际过程中，溅射产额总是低于或高于基于光滑表面计算的值。 例如，如果靶表面存在锥形孔，溅射产额比相应光滑表面的溅射产额低；相反，若在靶表面上创造一些棱形的孔或者三角形的沟槽，则溅射产额就随之增加。 2.2 溅射产额与靶原子序数的关系 这个图给出了Ar离子作为入射离子在1KeV时对一些元素的溅射产额。由图可见溅射与原子序数有周期性的关系，这是因为靶材的升华热与原子序数成周期性的结果，靶材的升华热愈低，结合能愈弱，在同样的条件下溅射产额愈大，反之亦然。再者，当金属表面形成金属氧化物时，致密的氧化层使结合能增大，溅射产额减少。 这个图是在45kV加速电压条件下各种入射离子轰击Ag表面时得到的溅射产额随离子的原子序数的变化。易知，重离子惰性气体作为入射离子时的溅射产额明显高于轻离子。但是出于经济方面的考虑，多数情况下均采用Ar离子作为薄膜溅射沉积时的入射离子。 2.3 溅射产额与入射离子角度的关系 这个图给出的是入射离子能量为200eV时溅射产额与入射离子角度的关系。其中Θ角为入射方向与法线的夹角，由图见，Θ=80 ° -85°时溅射产额最大，但对不同的材料，增大情况不一样。这是因为当入射角Θ增大时，入射离子的能量更多地耗散在靶近表面区，使溅射产额增大。但当Θ过大时，入射离子弹性散射的几率增大，传给靶导致溅射的能量减少，因而使溅射产额急剧下降。 2.4 溅射产额与入射离子能量的关系 这个图给出的是Ni的溅射产额与入射离子能量之间的关系。由图可以清楚地看出的规律是：从一定阈值开始有溅射，随着入射离子能量的增加，溅射产额增加。然后又逐渐下降。这是因为：随着入射离子能量的增加，位移原子的数目及能量都跟着增加，但另一方面，当入射离子能量增加时，它射入晶格更深处，而深处的位移原子并不能从表面上逸出，因而溅射产额降低，这两个因数决定了溅射与入射离子能量的关系。 2.5 溅射产额与衬底温度的关系 这个图给出了35KeV的Co+轰击Si靶，在Si基底上的相对溅射产额与衬底温度的关系图，从图可知，随着衬底温度的升高，相对溅射产额逐渐降低。导致溅射产额下降的主要原因是，当温度升高时，有一部分离子穿入到膜的内部，从而把能量消耗在材料内部。另一方面，由于温度的升高，晶格原子的布郎运动加剧，阻止了离子进一步遂穿到膜内部，从而有助于产额的提高。但由于设备不能够提供足够高的温度，所以图中没有最低点和逐渐上升的部分。 3.离子束溅射的淀积速率 淀积速率Zc：通常用淀积速率来表示溅射材料在基片上成膜的快慢。而把溅射材料在单位时间内淀积在基片上的厚度定义为淀积速率。 式中Kc为一常数，是由溅射镀膜装置决定的，它与真空室气压P、靶与基片距离有关；Y(E,θ)为溅射率，它是