三相谐振软开关逆变及控制技术.ppt

欢送大家一起研讨！ ;谐振过渡软开关三相PWM逆变器;主要内容 ;1、背景及意义 ;电压源三相逆变器的优点;电压源三相逆变器典型构成;传统硬开关三相逆变器的缺乏;开关S4开通; 对于由两个功率开关S1和S4构成的一个逆变桥臂〔S1在上、S4在下〕来说，当开关S4开通时，通过感性负载的电流将开始增加。当开关S4被关断时，感性负载中的电流不可能立刻发生变化，它必须通过开关S1上的反并联二极管D1进行续流。 ; 假设初始电流流过二极管D1，当开关S4开通时，负载电流将从D1中转移到S4中，遗憾的是，二极管D1不能立即从正向导通状态恢复到反向阻断状态，相反，在D1恢复到能承受反向电压之前，D1中有一个峰值很大的反向恢复电流，这个反向恢复电流也要流过开关S4。所以，此时流过S4的电流是负载电流和D1反向恢复电流之和。而且，此时S4上的电压还仍然为直流母线电压。这样，开关S4开通时，将产生很大的开通损耗。而且将承受很大的电压和电流应力，如果这个应力超过其平安工作区的极限，功率开关器件将永久损坏。另外，当D1开始承受反向电压时，反向电流减少到零的同时承受一个很高的电压和一个很大的反向电流，因此反并联二极管也将产生很大的功耗。; 当开关S4被关断时，负载电流转移到二极管D1中，S4两端的电压慢慢上升到直流母线电压，此时流过S4的电流根本上等于负载电流；当S4中的电流减小到零，此时它承受的还是直流母线电压。因此，在开关S4关断期间也有一个较大的功率损耗。 ;50;开关频率的提高受到以下因素的影响; ③ 硬开关将会导致较大的电磁干扰EMI〕。在高频状态运行时，开关器件本身的极间寄生电容成为极重要的参数。这种极间电容在功率器件的开关过程中会产生两种不利因素，其一，在高电压下开通时，CU2/2的电容储能被器件本身吸收和耗散，势必增加温升，频率越高越严重。其二，极间电容电压转换时的dv/dt会耦合到输入端，产生电磁干扰，使系统不稳定。此外，极间电容与电路中的杂散电感会形成振荡，会干扰系统正常工作。 ④ 硬开关将会导致电路拓扑对器件的寄生参数十分敏感，而且存在???上下桥臂直通的问题。传统硬开关电路中设置了功率器件的开通延迟时间〔死区时间〕，但在高频情况下，为了消除该死区时间对逆变器输出性能的影响，采取的校正措施又使整个系统的设计变的复杂起来。; ⑤ 硬开关条件下，逆变器中缓冲电路的设计是必不可少的，它可以限制功率器件开通时的di/vt、关断时的dv/dt，使动态开关轨迹缩小到直流平安区〔SOA〕之内，保证功率器件能够平安运行。但吸收电路并不能消除开关损耗，因此系统总的功耗不会减少，又增加了整个逆变器结构设计的难度。同时还会导致能量再生过程中续流二极管反向恢复和吸收电路的相互干扰引起较大的器件应力。 ⑥ 硬开关将会导致功率器件工作在较高的开关频率时，会在音频范围内时引起噪声污染。 ⑦ 硬开关将会导致逆变器电路对输入/输出滤波器的要求较高。;软开关技术三相逆变器的提出;软开关技术三相逆变器研究现状; 谐振网络位置和结构的变化，特性及谐振形式的不同〔并联或串联〕，使得软开关技术逆变器电路结构变得多种多样。但从谐振能量发生的位置来看，根本上可以分为两大类： 1．谐振直流环节〔Resonant DC Link〕逆变器：谐振DC环节三相逆变器电路一般构成。; 所有的基于谐振环节的的逆变器，无论结构如何变化，只是对谐振环节的结构加以变化，从而构造出诸如谐振直流环节逆变器〔RDCLI〕，改进型的谐振DC环节逆变器〔IRDCLI〕，有源钳位谐振直流环节逆变器〔ACRDCLI〕，并联谐振DC环节〔也称为准谐振DC环节〕逆变器〔QRDCLI〕等等。当把LC谐振网络以串联的方式接入直流母线时，还可以构成串联谐振零电流开关三相逆变器，在这种逆变器中，直流母线上的电流波形为不断过零点的脉冲形式，给三相逆变桥开关提供一个零电流开关条件。; 直流母线上的电压工作波形。 ; 2．谐振极〔Resonant Pole〕逆变器： 谐振极三相逆变器电路的一般构成。 ;这种电路对逆变器内部主功率器件的开关切换很重要，通过无损耗电容和换流电感的局部谐振实现ZVS动作。近年来，研究工作者对该类电路的研究也大都是集中在对辅助谐振网络的结构变化和工作特性的分析，先后出现了诸如辅助谐振转换极逆变器ARCPI及多种改进型的电路拓扑，零电压过渡 PWM 逆变器〔ZVT-PWM〕和零电流过渡PWM逆变器〔ZCT-PWM