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半导体器件物理4章半导体中的载流子输运现象 半导体器件物理4章半导体中的载流子输运现象 PAGE / NUMPAGES 半导体器件物理4章半导体中的载流子输运现象 第四章 半导体中载流子的输运现象 在前几章我们研究了热均衡状态下， 半导体导带和价带中的电子浓度和空穴浓度。 我们知道 电子和空穴的净流动将会产生电流，载流子的运动过程称呼输运。 半导体中的载流子存在两种基本的输运现象： 一种是载流子的漂移，另一种是载流子的扩散。 由电场惹起的载流子运动称呼载流子的漂移运动； 由载流子浓度梯度惹起的运动称呼载流子扩散运动。 后来我们会将会看到， 漂移运动是由多半载流子（简称多子）参加的运动；扩散运动是有 少量载流子（简称少子）参加的运动。载流子的漂移运动和扩散运动都会在半导体内形成电流。 别的，温度梯度也会惹起载流子的运动，但因为温度梯度小或半导体的特点尺寸变得愈来愈小，这一效应往常能够忽视。 载流子运动形成电流的体制最后会决定半导体器件的电流－电压特征。 所以，研究半导体中载流子的输运现象特别必需。 4.1 漂移电流密度 假如导带和价带都有未被电子填满的能量状态， 那么在外加电场的作用下， 电子和空穴将产生净加快度和净移位。 电场力的作用下使载流子产生的运动称为“漂移运动” 。载流子电荷的净漂移会产生“漂移电流” 。 假如电荷密度为 的正方体以速度 d 运动，则它形成的电流 密度为 J drf d 4.1 此中 的单位为 C cm 3 ， Jdrf 的单位是 Acm 2 或 C / cm2 s 。 若体电荷是带正电荷的空穴， 则电荷密度 ep ，e 为电荷电 量 e 1.6 10 19 C (库仑）， p 为载流子空穴浓度，单位为 cm 3 。则空穴 的漂移电流密度 J p / drf 能够写成： J p /drf ep dp 4.2 dp 表示空穴的漂移速度。空穴的漂移速度跟那些要素相关呢？ 在电场力的作用下，描绘空穴的运动方程为 F m*pa  eE  4.3 e 代表电荷电量，  a 代表在电场力  F 作用下空穴的加快度，  m*p 代 表空穴的有效质量。假如电场恒定，则空穴的加快度恒定，其漂 移速度会线性增添。 但半导体中的载流子会与电离杂质原子和热 振动的晶格原子发生碰撞或散射， 这类碰撞或散射改变了带电粒 子的速度特征。在电场的作用下，晶体中的空穴获取加快度，速 度增添。当载流子同晶体中的原子相碰撞后， 载流子会损失大部 分或所有能量， 使粒子的速度减慢。 而后粒子又会获取能量并重 新被加快，直到下一次遇到碰撞或散射，这一过程不停重复。因 此，在整个过程粒子将会有一个 均匀漂移速度 。在弱电场的状况 下，均匀漂移速度与电场强度成正比 （话中有话，在强电场的情 况下，均匀漂移速度与电场强度不会成正比） 。 dpp E 4.4 此中 p 是空穴迁徙率， 载流子迁徙率是一个重要的参数， 它描绘 了粒子在电场作用下的运动状况，迁徙率的单位为 cm2 / V s 。将 式（ 4.4）带入（ 4.2），可得出空穴漂移电流密度的表达式： J p / drf ep pE 4.5 空穴的漂移电流密度方向与施加的电场方向 同样。 同理可知电子的漂移电流为 Jn / drf en dn 4.6 弱电场时，电子的漂移电流也与电场成正比。 但因为电子带负电， 电子的运动方向与电场方向相反，所以 dn n E 4.7 此中 dn 代表电子的均匀漂移速度， n 代表电子的迁徙率， 为正当。 所以电子的漂移电流密度为 Jn / drf en n E en n E 4.8 固然电子的运动方向与电场方向相反， 但电子的漂移电流密度方 向仍与电场方向同样。 表 4.1T 300K时，低混杂浓度下的典型迁徙率值 资料 n cm2 / V s p cm2 / V s Si 1350 480 GaAs 8500 400 Ge 3900 1900 电子迁徙率和空穴迁徙率都与 温度和混杂浓度 相关。 表 4.1 给出了 T 300K 时低混杂浓度下的一些典型迁徙率值。 总的漂移电流是电子的漂移电流与空穴的漂移电流的和 ： 即 Jdrf e nn p p E 4.9 例题：给定电场强度时，计算半导体中产生的漂移电流密度。 考虑硅半导体在 T 300K，混杂浓度 N d 1016 cm 3 , N a 0。假定电子与空穴 的迁徙率由表 4.1给出，计算给定电场强度 E 35V / cm时产生的漂移电流密度。 解：因为 N d N a，所以是 N 型半导体。假定室温下杂质完整电离， 所以电子浓度： n Nd 1016cm 3 , 2 10 2 1.5 10 空穴浓度 p ni 2.25 104 cm 3 1016 n 因