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1; 7.1 历史回顾
7.2 摄像管的构成
7.3 摄像的工作方式
7.4 靶的单畴化
7.5 基底电荷的产生方法
7.6 性能分析;7.1 历史回顾; 为了得到好的灵敏度,晶体必须保持在oC的居里温度附近。
在居里温度(Curie-Weiss)下介电常数可以从16200变化到15001。 ;极化强度和介电常数与温度的关系;电压变量 可以表示为; Le Carvennee在研究把TGS靶用于电子束扫描的热成像摄像管时应用了这个原理(1969)。
他利用一边是金属电极,另一边是电子束在TGS靶上建立了一个电压。;工作在介电模??下存在的问题; 1972年Charles和Le Carvennee在一个密封管里得到了5oC的温度分辨率。
Pel’ta 等人于1968年研制出另外一个建立在介电模式上的晶体管。; 1963年Astheimer申请了热释电摄像管的第一个专利。它是建立在运用返回电子束正析模式的复杂机理上的,但没有得到实现。; 1968年Tompsett提出了一个简单的工作在真正的热释电模式下的热成像摄像管。;7.2 摄像管的构成;锗窗;热释电靶的厚度约为30μm,它的电极化轴垂直于表面。表面经抛光后蒸镀透红外辐射的金属薄膜。面对电子束扫描的靶面镀有保护层,其作用是防止靶受到离子的侵蚀作用,以改善输出信号的均匀性和延长靶的寿命。;扫描电子枪的组成;准直系统; 为了减少输入窗表面的反射损失,在外表面镀有红外增透膜。根据菲涅尔(Fresenl)公式所导出的增透膜折射率关系式 :; 已知锗的折射率为4,所以选用硫化锌(折射率为)或三硫化二砷(折射率为)作为外增透膜,膜厚取为透射波长的四分之一。 ;7.3 摄像的工作方式;像元信号输出等效电路;摄像工作方式的特点:;热释电靶面上的电荷是静电电荷。如果靶温不变,靶面电荷被扫描电子束着靶中和后,就不能再产生新的电荷密度。;热释电摄像管采用的工作方式:;两种方式的对比:;热释电摄像管中,通常将提供给靶面的正电荷称为基底电荷。; 因为基底电荷也将产生输出信号,所以基底电荷在靶面上的分布应当是均匀的。
这样由基底电荷所产生的输出信号是直流量,就可以用隔直电路予以去除。 ;7.4 靶的单畴化;单畴化过程:;将VS缓慢升到210V,同时电子束继续扫描靶面,保持靶的扫描面电位为220V,保持一段时间,使热释电靶的电极化稳定。;停止电子束扫描,并将靶的信号电极电位迅速降到0V,这时靶的两个表面间的电位差仍保持10V,所以靶的电子束扫描面电位变为10V 。;重新由电子束对靶面扫描,此时二次电子发射系数小于1,靶的扫描面电位将下降到0V 。;7.5 基底电荷的产生方法;二次电子发射法;所产生的平均基底电流由下式确定;摄像管内充气法;二次电子发射法的优缺点:;摄像管内充气法的优缺点:;缺点;7.6 性能分析;对一个厚度为 和介电常数为 的靶;电压随时间的变化率;举例说明;热时间常数;对一个悬挂在真空中的靶面,热量损耗主要来自时间常数 。在300K下对一片厚度为20μm的单晶TGS片, ≈5s。
斩波器的遮蔽时间一般选在与电视帧周期相对应的时间或20ms,这主要取决于应用的国家,目的在于能看清移动图像,并与正常电视显示一致。 ;调制模式下靶温、靶面电位、信号电流和反相信号,在零时刻随场景温度的瞬态变化。;品质因数;热释电摄像管的性能参数;分辨率;对一个斩波器频率为33Hz的TGS 材料,半宽大约为33μm,对应一个1英寸摄像管300线分辨率。
(Holeman和Wreathall,1971)
通过光刻或蚀刻将靶面刻成网格状以分离像素,分辨率可提高到400线。;灵敏度;光谱响应;惰性;带有EEV公司制造的热释电摄像管的Argus第四代便携式热成像摄像机
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