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模拟电子技术模拟试卷二及参考答案 ……………………………………………………………………………………………………………… 题号 一 二 三 四 总分 签名 分数 得分 评卷人 一、填空题（本大题共 10 小题，每空 1 分，共 20 分） 1、 半导体中，由浓度差引起非平衡载流子运动，形成 _扩散 _电流，由外加电场引起载流子运动形 成_ 漂移 _ 电流。 2、 温度升高时，晶体二极管的 I S 将_增大 _ ，V D ( on ) 将_ 减小 _ 。 3、 晶体三极管工作在截止模式下的外部条件是发射结和 __收集 __结均为 __反向 __偏置。 4、 N 沟道 MOSFET 中，为保证器件正常工作， __源 __极应接在电位的最低点，而 P 沟道的 MOSFET ，则该电极应接在电位的 __最高点 __ 。 5、 P 沟道 EMOS 管工作在饱和区的条件是 和__ __ 。 6、 放大器的失真根据其产生的机理不同可分为 _线性 _失真和 _非线性 _失真两大类。 7、 电流源电路的主要参数是 __输出电流 __和__输出电阻 __ 。 8、 反馈元件并接到输入信号源两端的为 _并联 _ 反馈，否则为 _串联 _ 反馈。 9、 负反馈放大电路自激的幅度条件是 __ __，相位条件是 __ __ 。 10、满足理想化条件的集成运放应具有无限大的差模输入电阻、 趋于零的 __输出 __ 电阻、无限大的 差模电压增益和 __共模 __ 抑制比、无限大的频带宽度以及趋于零的失调和漂移。 得分 评卷人 二、单选题（本大题共 15 小题，每小题 2 分，共 30 分） 11、杂质半导体中多数载流子浓度 ( B ) 《线性电子线路》模拟测试卷 第 1 页 共 6 页 A 、只与温度有关 B、取决于掺杂浓度，几乎与温度无关 C、与温度无关 D 、与掺杂浓度和温度都无关 12、一个硅二极管在正向电压 V D 0.6V 时，正向电流 I D 为 10mA ，若 V D 增大到 0.66V (即增加 10% ) ，则电流 I D ( B ) A 、约为 11mA( 也增加 10%) B、约为 20mA( 增大 1 倍 ) C、约为 100mA( 增大到原先的 10 倍 ) D 、仍为 10mA( 基本不变 ) 13、某晶体三极管的 I B 为 10 μA， I C 为 1mA ， I CEO 为 0.1mA 则该管的 β值为 ( C ) A 、100 B、110 C 、90 D 、80 14、已知某三极管 V BE 0 .7 V ， V CE 3 V ，则该管工作在 __放大 __ 区。 ( A ) A 、放大 B、饱和 C、截止 D 、击穿 15、判别晶体管是否工作在饱和状态，最简单的是测量 ( B ) A 、I B B、V CE C、V BE D 、IC 16、场效应管工作在放大状态时，其静态工作点应设置在输出特性曲线的 ( B ) A 、非饱和区 B、饱和区 C、截止区