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模拟试卷一 一、填空 (16 分) 1．半导体二极管的主要特性是 ___________ 。 2．三极管工作在放大区时，发射结为 ____ 偏置，集电结为 _____偏置；工作在饱和区时发 射结为 ___偏置，集电结为 ____偏置。 3．当输入信号频率为 fL 和 fH 时，放大倍数的幅值约下降为中频时的 __ 倍，或者是下降了 __dB ，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为 _____ 。 4 ．为提高放大电路输入电阻应引入 ___ 反馈； 为降低放大电路输出电阻， 应引入 _____反馈。 5．乙类功率放大电路中， 功放晶体管静态电流 ICQ =____ 、静态时的电源功耗 PDC =______ 。 这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 _____ ，但这种功放有 ______ 失真。 6．在串联型稳压电路中， 引入了 —— 负反馈； 为了正常稳压， 调整管必须工作在 ____ 区域。 二、选择正确答案填空 (24 分 ) 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为 0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三 极管是 ( ) 。 A ．NPN 型硅管 B ．NPN 型锗管 C ．PNP 型硅管 D． PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图１所示，该管为 ( ) 。 A ．P 沟道增强型 MOS 管 B ．P 沟道结型场效应管 C ．N 沟道增强型 MOS 管 D ．N 沟道耗尽型 MOS 管 3．在图示 2 差分放大电路中，若 uI = 20 mV ，则电路的 ( ) 。 A ．差模输入电压为 10 mV ，共模输入电压为 10 mV 。 B ．差模输入电压为 10 mV ，共模输入电压为 20 mV 。 C ．差模输入电压为 20 mV ，共模输入电压为 10 mV 。 D ．差模输入电压为 20 mV ，共模输入电压为 20 mV 。 4 ．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的 ( ) 。 A ．输入电阻高 B ．输出电阻低 C ．共模抑制比大 D ．电压放大倍数大 5．在图示电路中 ,Ri 为其输入电阻， RS 为常数，为使下限频率 fL 降低，应 ( ) 。 A ．减小 C ，减小 Ri B ．减小 C ，增大 Ri C ．增大 C ，减小 Ri D ．增大 C ，增大 Ri 1 6．如图所示复合管，已知 V1 的 b1 = 30 ，V2 的 b2 = 50 ，则复合后的 b 约为 ( ) 。 A ．1500 B ．80 C ．50 D ．30 7．RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成 ,即 RC 串并联选频网络和 ( ) 。 A ．基本共射放大电路 B ．基本共集放大电路 C ．反相比例运算电路 D ．同相比例运算电路 8．已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示，该电路可能是 ( ) 。 A ．积分运算电路 B ．微分运算电路 C ．过零比较器 D ．滞回比较器 三、两级放大电路如图所示，已知三极管的参数： V1 的 b1 、rbe1，V2 的 b2 、rbe2，电 容 C1 、C2 、CE 在交流通路中可视为短路。 1．分别指出 V1 、V2 的电路组态； 2．画出图示电路简化的 H 参数微变等效电路； 3．计算中频电压放大倍数 Au