模拟电子技术考试试题.pdfVIP

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  • 2021-11-19 发布于河北
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北京交通大学考试试题及参考答案 课程名称:模拟电子技术 2006-2007 学年第二学 出题教师:集体 班 级: 学生姓名 _________ 学号_________ 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 总分 得分 阅卷人 一、填空( 20 分) 1. 环境温度变低低, 放大电路中晶体管的共射电流放大倍数变 __________。 P 2. 当设计要求输出功率为 20W的乙类推挽功放时,应选取 CM至少为 __________W的功率管。 3. 在构成多级放大电路时,每级放大器之间的级间耦合方式主要有 _______、_______、_______。如果要传送变化缓慢的信号, 应采取 _______ 耦合方式。 4. 在负反馈放大电路中,要达到提高输入电阻、改善负载能力的目的,应 该给放大器接入 _______反馈。 5. 在放大电路中,为了减小从信号源索取的电流,应引用 _______反馈。 6. _______比例运算电路的输入电阻大,而 _______比例运算电路的输入电 阻小。 7. 对于差分放大电路,主要功能是放大差模信号、抑制共模信号,单端输 出时要提高共模抑制比,应该 ______________。 8. 放大电路中对不同频率的信号的响应是不同的,影响放大器高频频率响 应的主要原因是 ______________;影响放大器低频频率响应的主要原因是 ______________。 9. 测得放大电路中三只晶体三极管三个电极的直流电位如图一所示。试分 别判断它们的管型、管脚、所用材料及工作状态。图一( a)为 ______________、图一(b)为______________、图一(c )为______________。 图一 10. E/E 型 NMOS放大器与 E/D 型 NMOS放大器相比,电压增益较 ________, 输出电阻较 ________。 11. NMOS管的衬底是 _________型半导体,使用时应接到比源极和漏极电位 ________的电位上。 答: 1. 变小 2. 4W 3. 直接耦合、阻容耦合、变压器耦合、光电耦合。直接耦合 4. 电压串联负反馈 5. 串联负 6. 同相、反相 7. 增大射极电阻,如采用有源负载 8. 结电容、耦合电容和旁路电容 9. 图一解( a )是锗型 PNP管,放大状态;图一解( b)是锗型 PNP管,放大 状态;图一解( c )是硅型 NPN管,放大状态。 管脚如图一解所示。 图一解 1. 小;小 11. P;低 二、( 5 分)判断下列说法是否正确 1. 双极型三极管是电流控制器件,场效应管是电压控制器件。 ( ) 2 . 若放大器没接负载,说明放大器工作在开环状态。 ( ) 3. 在运算电路中,集成运放中的反相输入端为虚地。 ( ) 4 . 若放大器的增益稳定,则引入的反馈一定是负反馈。 ( ) 5. 集成运放构成的放

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