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FLASH 和 EEPROM 的最大区别
FLASH 和 EEPROM 的最大区别是 FLASH 按扇区操作, EEPROM 则按字节操作,二
者寻址方法不同,存储单元的结构也不同, FLASH 的电路结构较简单,同样容量占芯片面
积较小,成本自然比 EEPROM 低,因而适合用作程序存储器, EEPROM 则更多的用作非易
失的数据存储器。当然用 FLASH 做数据存储器也行,但操作比 EEPROM 麻烦的多,所以
更 “人性化 ”的 MCU 设计会集成 FLASH 和 EEPROM 两种非易失性存储器, 而廉价型设计往
往只有 FLASH ,早期可电擦写型 MCU 则都是 EEPRM 结构,现在已基本上停产了。
至于那个 “总工 ”说的话如果不是张一刀记错了的话, 那是连基本概念都不对, 只能说那
个 “总工 ”不但根本不懂芯片设计, 就连 MCU 系统的基本结构都没掌握。 在芯片的内电路中,
FLASH 和 EEPROM 不仅电路不同, 地址空间也不同, 操作方法和指令自然也不同, 不论冯
诺伊曼结构还是哈佛结构都是这样。技术上,程序存储器和非易失数据存储器都可以只用
FALSH 结构或 EEPROM 结构,甚至可以用 “变通 ”的技术手段在程序存储区模拟 “数据存储
区”,但就算如此,概念上二者依然不同,这是基本常识问题。
没有严谨的工作精神,根本无法成为真正的技术高手。
现在的单片机 ,RAM 主要是做运行时数据存储器 ,FLASH 主要是程序存储器 ,EEPROM 主要
是用以在程序运行保存一些需要掉电不丢失的数据 . 楼 上说的很好
另外,一些变量,都是放到 RAM 里的,一些初始化数据比如液晶要显示的内容界面,都是
放到 FLASH 区里的(也就是以前说的 ROM 区),EEPROM 可用可不用,主要是存一些运
行中的数据,掉电后且不丢失
ROM 和 RAM 指的都是半导体存储器, ROM 是 Read Only Memory 的缩写,RAM 是 Random
Access Memory 的缩写。 ROM 在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而 RAM 通常都
是在掉电之后就丢失数据,典型的 RAM 就是计算机的内存。
RAROM 和 RAM 指的都是半导体存储器, ROM 是 Read Only Memory 的缩写,
RAM 是 Random Access Memory 的缩写。 ROM 在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,
而 RAM 通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的 RAM 就是计算机的内存。
RAM 有两大类, 一种称为静态 RAM (Static RAM/SRAM ),SRAM 速度非常快,
是目前读写最快的存储设备了, 但是它也非常昂贵, 所以只在要求很苛刻的地方使用, 譬如
CPU 的一级缓冲,二级缓冲。另一种称为动态 RAM (Dynamic RAM/DRAM ),DRAM 保留
数据的时间很短,速度也比 SRAM 慢,不过它还是比任何的 ROM 都要快,但从价格上来
说 DRAM 相比 SRAM 要便宜很多,计算机内存就是 DRAM 的。
DRAM 分为很多种,常见的主要有 FPRAM/FastPage 、 EDORAM 、SDRAM 、DDR RAM 、
RDRAM 、 SGRAM 以及 WRAM
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