FLASH和EEPROM的最大区别.pdf

FLASH 和 EEPROM 的最大区别 FLASH 和 EEPROM 的最大区别是 FLASH 按扇区操作， EEPROM 则按字节操作，二 者寻址方法不同，存储单元的结构也不同， FLASH 的电路结构较简单，同样容量占芯片面 积较小，成本自然比 EEPROM 低，因而适合用作程序存储器， EEPROM 则更多的用作非易 失的数据存储器。当然用 FLASH 做数据存储器也行，但操作比 EEPROM 麻烦的多，所以 更 “人性化 ”的 MCU 设计会集成 FLASH 和 EEPROM 两种非易失性存储器， 而廉价型设计往 往只有 FLASH ，早期可电擦写型 MCU 则都是 EEPRM 结构，现在已基本上停产了。 至于那个 “总工 ”说的话如果不是张一刀记错了的话， 那是连基本概念都不对， 只能说那 个 “总工 ”不但根本不懂芯片设计， 就连 MCU 系统的基本结构都没掌握。 在芯片的内电路中， FLASH 和 EEPROM 不仅电路不同， 地址空间也不同， 操作方法和指令自然也不同， 不论冯 诺伊曼结构还是哈佛结构都是这样。技术上，程序存储器和非易失数据存储器都可以只用 FALSH 结构或 EEPROM 结构，甚至可以用 “变通 ”的技术手段在程序存储区模拟 “数据存储 区”，但就算如此，概念上二者依然不同，这是基本常识问题。 没有严谨的工作精神，根本无法成为真正的技术高手。 现在的单片机 ,RAM 主要是做运行时数据存储器 ,FLASH 主要是程序存储器 ,EEPROM 主要 是用以在程序运行保存一些需要掉电不丢失的数据 . 楼 上说的很好 另外，一些变量，都是放到 RAM 里的，一些初始化数据比如液晶要显示的内容界面，都是 放到 FLASH 区里的（也就是以前说的 ROM 区），EEPROM 可用可不用，主要是存一些运 行中的数据，掉电后且不丢失 ROM 和 RAM 指的都是半导体存储器， ROM 是 Read Only Memory 的缩写，RAM 是 Random Access Memory 的缩写。 ROM 在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而 RAM 通常都 是在掉电之后就丢失数据，典型的 RAM 就是计算机的内存。 RAROM 和 RAM 指的都是半导体存储器， ROM 是 Read Only Memory 的缩写， RAM 是 Random Access Memory 的缩写。 ROM 在系统停止供电的时候仍然可以保持数据， 而 RAM 通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的 RAM 就是计算机的内存。 RAM 有两大类， 一种称为静态 RAM （Static RAM/SRAM ），SRAM 速度非常快， 是目前读写最快的存储设备了， 但是它也非常昂贵， 所以只在要求很苛刻的地方使用， 譬如 CPU 的一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态 RAM （Dynamic RAM/DRAM ），DRAM 保留 数据的时间很短，速度也比 SRAM 慢，不过它还是比任何的 ROM 都要快，但从价格上来 说 DRAM 相比 SRAM 要便宜很多，计算机内存就是 DRAM 的。 DRAM 分为很多种，常见的主要有 FPRAM/FastPage 、 EDORAM 、SDRAM 、DDR RAM 、 RDRAM 、 SGRAM 以及 WRAM